是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.26 | Is Samacsys: | N |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.7 V |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 最大功率耗散: | 0.225 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 70 V |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBD6100LT1_06 | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode | |
MMBD6100LT1G | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode | |
MMBD6100LT1G_09 | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode | |
MMBD6100LT3 | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode | |
MMBD6100LT3G | ONSEMI |
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Monolithic Dual Switching Diode | |
MMBD6100-T1 | WTE |
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SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE | |
MMBD6100-T1-LF | WTE |
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暂无描述 | |
MMBD6100W | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES | |
MMBD6100W_09 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES | |
MMBD6100W_13 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |