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MMBD6100LT3

更新时间: 2024-11-11 22:29:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 84K
描述
Monolithic Dual Switching Diode

MMBD6100LT3 技术参数

是否无铅:含铅生命周期:End Of Life
零件包装代码:SOT-23包装说明:PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.3Is Samacsys:N
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.7 V
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):240
最大功率耗散:0.225 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:70 V最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

MMBD6100LT3 数据手册

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http://onsemi.com  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Symbol  
Rating  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
3
V
R
Reverse Voltage  
Forward Current  
1
I
F
200  
500  
mAdc  
mAdc  
2
I
Peak Forward Surge Current  
FM(surge)  
PLASTIC  
SOT–23S  
CASE 318  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Unit  
(1)  
P
D
Total Device Dissipation, FR–5 Board  
225  
mW  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
DEVICE MARKING  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
JA  
D
P
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate,  
(2)  
T = 25°C  
A
5BM  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
417  
JA  
T , T  
Junction and Storage  
Temperature Range  
–55 to  
+150  
J
stg  
(1) FR5 = 1.0  
(2) Alumina = 0.4  
0.75 0.062 in.  
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
ANODE  
1
3
2
CATHODE  
ANODE  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
3000/Tape & Reel  
MMBD6100LT1 SOT–23S  
MMBD6100LT3 SOT–23S 10,000/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
April, 2000 – Rev. 1  
MMBD6100LT1/D  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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