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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MMBD6100LT3G
MMBD6100LT3G PDF预览

MMBD6100LT3G

更新时间： 2024-11-12 04:39:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
Monolithic Dual Switching Diode

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MMBD6100LT3G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.31Is Samacsys：N
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MMBD6100LT3G 数据手册

 浏览型号MMBD6100LT3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBD6100LT3G的Datasheet PDF文件第3页 
MMBD6100LT1  
Monolithic Dual  
Switching Diode  
Features  
• Pb−Free Packages are Available  
http://onsemi.com  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
ANODE  
1
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
3
CATHODE  
2
ANODE  
Reverse Voltage  
V
R
Forward Current  
I
200  
500  
mAdc  
mAdc  
F
Peak Forward Surge Current  
I
FM(surge)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
3
Symbol  
Max  
Unit  
1
Total Device Dissipation, FR−5 Board  
(Note 1)  
P
D
2
T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 9  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
q
JA  
Total Device Dissipation Alumina Substrate  
(Note 2)  
P
D
T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
DEVICE MARKING  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature Range  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
5B M G  
G
1
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
5B  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
Symbol Min Max  
Unit  
V
70  
−
−
Vdc  
(BR)  
(I  
= 100 mAdc)  
(BR)  
ORDERING INFORMATION  
Reverse Voltage Leakage Current  
I
0.1  
mAdc  
R
(V = 50 Vdc)  
(For each individual diode while the  
second diode is unbiased)  
R
†
Device  
Package  
Shipping  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
MMBD6100LT1  
SOT−23  
Forward Voltage  
V
Vdc  
F
MMBD6100LT1G SOT−23  
(Pb−Free)  
(I = 1.0 mAdc)  
0.7  
1.1  
0.55  
0.8  
F
(I = 100 mAdc)  
F
MMBD6100LT3  
SOT−23 10,000/Tape & Reel  
Reverse Recovery Time  
t
−
4.0  
ns  
rr  
(I = I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
(Figure 1)  
F
R
R(REC)  
MMBD6100LT3G SOT−23 10,000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Capacitance  
(V = 0 V)  
R
C
−
2.5  
pF  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 2  
MMBD6100LT1/D  
 
123

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MMBD6100LT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBD6100LT3 ONSEMI

完全替代

 Monolithic Dual Switching Diode
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