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MMBD6050-HE3-08

更新时间： 2024-11-12 18:54:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	96K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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MMBD6050-HE3-08 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.15
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.225 W
参考标准：	AEC-Q101	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

MMBD6050-HE3-08 数据手册

MMBD6050

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Small Signal Switching Diode

FEATURES

• Silicon epitaxial planar diode

• Fast switching diode in case SOT-23, especially

suited for automatic insertion.

• AEC-Q101 qualified

• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial

grade

• Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912 

MECHANICAL DATA



Case: SOT-23

Weight: approx. 8.8 mg

Packaging codes/options:

18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box

08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box

PARTS TABLE

PART

ORDERING CODE

INTERNAL CONSTRUCTION TYPE MARKING

Single diode 5AM

REMARKS

MMBD6050-E3-08 or MMBD6050-E3-18

MMBD6050-HE3-08 or MMBD6050-HE3-18

MMBD6050

Tape and reel

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Continuous reverse voltage

Forward current

V_R

I_F

200

500

225

1.8

Peak forward surge current

I_FSM

P_tot

Maximum power dissipation on FR-5 board ⁽¹⁾

Derate above 25 °C

P_tot

mW/°C

P_tot

300

2.4

Maximum power dissipation on alumina

substrate ⁽²⁾

P_tot

mW/°C

Notes

(1)

FR-5 = 1.0" x 0.75" x 0.062".

Alumina = 0.4" x 0.3" x 0.024" 99.5 % alumina

(2)

THERMAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

R_thJA

T_j

VALUE

556

UNIT

°C/W

°C

Thermal resistance FR-5

Junction to ambient alumina

Maximum junction temperature

Storage temperature range

Operating temperature range

417

150

T_stg

- 55 to + 150

°C

T_op

°C

Rev. 1.6, 15-May-13

Document Number: 85735

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD6050-HE3-18	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
MMBD6050LT1	ONSEMI	获取价格	Switching Diode
MMBD6050LT1	LRC	获取价格	Switching Diode
MMBD6050LT1	MOTOROLA	获取价格	Switching Diode
MMBD6050LT1	WINNERJOIN	获取价格	MONOLITHIC DUAL SWITCHING DIODE
MMBD6050LT1G	ONSEMI	获取价格	Switching Diode
MMBD6050LT3	MOTOROLA	获取价格	SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
MMBD6050LT3	ONSEMI	获取价格	70 V 开关二极管
MMBD6050LT3G	ONSEMI	获取价格	Switching Diode
MMBD6050-T1	WTE	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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