MMBD6050LT1

更新时间： 2024-09-22 22:07:51

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摩托罗拉 - MOTOROLA		二极管开关光电二极管
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4页	82K
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Switching Diode

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MMBD6050LT1 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MMBD6050LT1 数据手册

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by MMBD6050LT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

CATHODE

ANODE

CASE 318–08, STYLE 8

SOT–23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Reverse Voltage

Forward Current

200

500

mAdc

Peak Forward Surge Current

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

FM(surge)

Symbol

Max

Unit

(1)

Total Device Dissipation FR–5 Board

225

= 25°C

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

(2)

Alumina Substrate,

Derate above 25°C

T = 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

DEVICE MARKING

T , T

J stg

–55 to +150

MMBD6050LT1 = 5AM

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Reverse Breakdown Voltage (I

(BR)

= 100 µAdc)

—

Vdc

(BR)

Reverse Voltage Leakage Current

(V = 50 Vdc)

0.1

µAdc

Forward Voltage

Vdc

(I = 1.0 mAdc)

0.55

0.85

0.7

1.1

(I = 100 mAdc)

Reverse Recovery Time

—

4.0

(I = I = 10 mAdc, I

= 1.0 mAdc) (Figure 1)

0.024 in. 99.5% alumina.

R(REC)

Capacitance (V = 0 V)

—

2.5

1. FR–5 = 1.0

0.75 0.062 in.

2. Alumina = 0.4

0.3

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company

REV 1

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_c.a₁₉ll₉–₇Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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