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MMBD6050LT1

更新时间： 2024-11-12 12:06:03

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描述
MONOLITHIC DUAL SWITCHING DIODE

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MMBD6050LT1 数据手册

RoHS

MMBD6050LT1

MONOLITHIC DUAL S WITCHING DIODE

Package:SOT-23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25

Characteristic

Reverse Voltage

Symbol

Rating

Unit

Vdc

V_R

I_F

Forward Current

200

Vdc

mAdc

Peak Forward surge Current

Total Device Dissipation FR-5

Board(Note)

I_FM(surge)

P_D

500

225

Derate above 25

1.8

150

mW/

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS at Ta=25

Characteristic

Reverse Breakdown Voltage(I_R=100uAdc)

Reverse Voltage Leakage Current

(V_R=50Vdc)

Symbol

V_(BR)

Min

Max

Unit

Vdc

I_R

0.1

uAdc

Diode Capacitance(V_R=0 f=1.0MHz)

Forward Voltage

C_T

V_F

Vdc

(I_F=1.0mAdc)

0.55

0.85

0.7

1.1

2.5

(I_F=100mAdc)

Reverse Recovery Time(I_F=I_R=10mAdc)

Trr

Note:FR-5=1.0 0.75 0.062in

DVICE MARKING:

MMBD6050LT1=5A

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

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