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MMBD6050LT1

更新时间： 2024-11-22 22:39:31

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乐山 - LRC		二极管开关光电二极管
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2页	55K
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Switching Diode

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MMBD6050LT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	0.5 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.225 W	最大重复峰值反向电压：	70 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL

MMBD6050LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Switching Diode

MMBD6050LT1

ANODE

CATHODE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

CASE 318–08, STYLE8

Reverse Voltage

Vdc

SOT– 23 (TO–236AB)

Forward Current

I _F

200

mAdc

Peak Forward Surge Current

I _FM(surge)

500

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board ⁽¹⁾

225

T _A= 25°C

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _{θ JA}

P_D

Alumina Substrate, ⁽²⁾T _A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _{θ JA}

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

MMBD6050LT1 = 5A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Reverse Breakdown Voltage

(I _(BR)= 100 µAdc)

Symbol

Min

Max

—

Unit

V _(BR)

Vdc

Reverse Voltage Leakage Current

(V _R= 50 Vdc)

—

0.1

µAdc

Forward Voltage

V _F

Vdc

(I _F= 1.0 mAdc)

0.55

0.85

0.7

1.1

(I _F= 100 mAdc)

Reverse Recovery Time

t_rr

—

4.0

(I _F= I _R= 10 mAdc,I _R(REC)=1.0mAdc) (Figure 1)

Capacitance(V _R= 0V)

—

2.5

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

G22–1/2

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