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MMBD6050-GS18

更新时间: 2024-11-12 14:53:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 101K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 70V V(RRM),

MMBD6050-GS18 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.83配置:SINGLE
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.7 V
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:0.5 A
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大重复峰值反向电压:70 V最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

MMBD6050-GS18 数据手册

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MMBD6050  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Small Signal Switching Diode  
Features  
• Silicon Epitaxial Planar Diode  
3
• Fast switching diode in case SOT-23, especially  
suited for automatic insertion.  
1
2
16923  
Mechanical Data  
Case: SOT-23 Plastic case  
Weight: approx. 8.8 mg  
Packaging Codes/Options:  
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box  
Parts Table  
Part  
Ordering code  
Marking  
Remarks  
MMBD6050  
MMBD6050-GS18 or MMBD6050-GS08  
5AM  
Tape and Reel  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Continuous reverse voltage  
Forward current  
V
V
R
I
200  
500  
225  
mA  
mA  
mW  
F
Peak forward surge current  
Maximum power dissipation  
I
FSM  
T = 25 °C  
P
A
tot  
1)  
on FR-5 board  
Derate above 25 °C  
P
P
1.8  
mW/°C  
mW  
tot  
Maximum power dissipation  
T = 25 °C  
300  
A
tot  
2)  
on Alumina substrate  
Derate above 25 °C  
P
2.4  
mW/°C  
tot  
1)  
FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2)  
Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5 % alumina  
Thermal Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
556  
Unit  
Thermal resistance FR-5  
R
R
°C;/W  
thJA  
thJA  
Junction to ambient Alumina  
Maximum junction temperature  
Storage temperature range  
417  
150  
°C/W  
°C  
T
j
T
- 55 to + 150  
°C  
S
Document Number 85735  
Rev. 1.3, 08-Jul-04  
www.vishay.com  
1

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