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MMBD4448CCE

更新时间： 2024-11-19 14:50:15

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先科 - SWST		开关小信号开关二极管
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小信号开关二极管

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MMBD4448CCE 数据手册

MMBD4448E / SEE / CCE / CAE

Silicon Epitaxial Planar Switching Diodes

4448E

4448SEE

4448CCE

4448CAE

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

V_RRM

V_R

Value

100

Unit

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

DC Forward Current

I_F(AV)

I_FM

250

500

at t = 1 s

at t = 1 μs

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

I_FSM

Total Device Dissipation

Junction Temperature

P_tot

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 65 to + 150

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 15/12/2022 Rev: 02

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