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MMBD4448H PDF预览

MMBD4448H

更新时间： 2024-01-08 14:06:20
品牌 Logo 应用领域
TSC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Surface Mount Switching Diode

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MMBD4448H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.59配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.72 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：4 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.25 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MMBD4448H 数据手册

 浏览型号MMBD4448H的Datasheet PDF文件第2页 
MMBD4448H  
Surface Mount Switching Diode  
Voltage Range  
80 Volts  
350m Watts Power Dissipation  
SOT-23  
Features  
0.020(0.51)  
0.015(0.37)  
ꢀ
Fast switching speed  
ꢀ
Surface mount package ideally suited for  
automatic insertion  
0.055(1.40) 0.098(2.50)  
0.047(1.19) 0.083(2.10)  
ꢀ
ꢀ
For general purpose switching applications  
High conductance  
0.041(1.05)  
0.047(0.89)  
0.080(2.05)  
0.070(1.78)  
0.024(0.61)  
0.018(0.45)  
Mechanical Data  
ꢀ
Case: SOT-23, Molded plastic  
Terminals: Solderable per MIIL-STD-202,  
Method 208  
0.120(3.05)  
0.104(2.65)  
ꢀ
0.043(1.10)  
0.035(0.89)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: See diagram  
Marking: KA3  
Weight: 0.008 gram (approx.)  
0.007(0.178)  
0.003(0.076)  
0.006(0.15)  
0.001(0.013)  
0.024(0.61)  
0.018(0.45)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Type Number  
Symbol  
MMBD4448H  
Units  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRM  
VRRM  
VRWM  
VR  
100  
V
80  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IFM  
57  
500  
250  
V
mA  
mA  
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectifier Output Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
@ t=1.0uS  
Io  
IFSM  
4.0  
2.0  
A
@ t=1.0S  
Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
(Note 1)  
Pd  
350  
mW  
K/W  
OC  
RθJA  
TJ, TSTG  
357  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to + 150  
Electrical Characteristics  
Type Number  
Symbol  
V(BR)  
Min  
80  
Max  
Units  
V
_
Reverse Breakdown Voltage (Note 2) IR=2.5uA  
Forward Voltage  
IF=5.0mA  
IF= 10mA  
IF =100mA  
IF=150mA  
0.62  
0.72  
0.855  
1.0  
VF  
IR  
V
1.25  
Peak Reverse Current (Note 2)  
VR=75V  
100  
50  
30  
uA  
nA  
_
VR=75V, Tj=150℃  
VR=25V, TJ=150℃  
25  
VR=20V  
_
_
Junction Capacitance VR=0.6V, f=1.0MHz  
Reverse Recovery Time VR=6V, IF=5mA  
Cj  
trr  
3.5  
4.0  
pF  
nS  
Notes: 1. Valid Provided that Terminals are Kept at Ambient Temperature.  
2. tp < 300uS, Duty Cycle < 2%.  
- 844 -  
12

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