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MMBD4448DW

更新时间： 2024-11-17 22:46:07
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美台 - DIODES 二极管开关
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1页 57K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

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MMBD4448DW 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.55
Is Samacsys：N最大正向电压 (VF)：1.25 V
JESD-609代码：e0最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向电流：2.5 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
反向测试电压：75 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

MMBD4448DW 数据手册

  
MMBD4448DW  
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE  
Features  
·
·
Fast Switching Speed  
Surface Mount Package Ideally Suited for  
Automatic Insertion  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
Ultra Miniature Package  
SOT-363  
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
A
·
·
·
NC  
C1  
A2  
B
C
B
C
KXX  
D
0.65 Nominal  
Mechanical Data  
A1  
C2  
NC  
H
F
0.30  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
·
·
Case: SOT-363, Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
H
K
J
M
J
K
0.90  
0.25  
0.10  
·
·
·
Polarity: See Diagram  
Marking: KA3  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
L
D
F
L
M
All Dimensions in mm  
@ T = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
A
Characteristic  
Symbol  
MMBD4448DW  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
75  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
53  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectified Output Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
500  
250  
mA  
mA  
IO  
@ t < 1ms  
@ t < 1s  
4
2
IFSM  
A
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
200  
625  
mW  
K/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
IF = 5.0mA  
IF = 10mA  
IF = 50mA  
IF = 150mA  
0.62  
¾
0.720  
0.855  
1.0  
VFM  
Maximum Forward Voltage  
V
¾
1.25  
¾
VR = 75V  
2.5  
50  
30  
25  
mA  
mA  
mA  
nA  
V
V
V
R = 75V, Tj = 150°C  
R = 25V, Tj = 150°C  
R = 20V  
IRM  
Maximum Peak Reverse Current  
¾
VR = 0, f = 1.0MHz  
Cj  
trr  
Junction Capacitance  
¾
¾
4.0  
4.0  
pF  
ns  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
Notes:  
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
DS31035 Rev. 2P-1  
1 of 1  
MMBD4448DW  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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