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MMBD4448DW-T PDF预览

MMBD4448DW-T

更新时间： 2024-11-18 20:50:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 509K
描述
Rectifier Diode,

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MMBD4448DW-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

MMBD4448DW-T 数据手册

 浏览型号MMBD4448DW-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBD4448DW-T的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
MMBD4448DW  
Micro Commercial Components  
Features  
•
For General Purpose Switching Applications  
200mW  
Switching Diodes  
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
•
•
•
Ultra-Small Surface Mount Package  
High Conductance, Power Dissipation  
Fast Switching Speed  
SOT-363  
G
Maximum Ratings  
Symbol  
VRM  
VRRM  
VRWM  
VR  
Rating  
Rating  
100  
Unit  
V
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
C
B
75  
V
VR(RMS)  
IFM  
IO  
RMS Reverse Voltage  
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
53  
500  
250  
V
mA  
mA  
A
H
Peak Forward Surge Current @1.0μs  
4.0  
2.0  
IFSM  
A
M
@1.0s  
K
Thermal Resistance Junction to Ambient  
℃/W  
mW  
℃
R
θ
625  
200  
150  
J
JA  
F
D
PD  
TJ  
Power dissipation  
Junction Temperature  
L
Storage Temperature  
℃
TSTG  
-65 to +150  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Test Conditions  
DIMENSIONS  
V(BR)  
Reverse Breakdown Voltage  
75V  
---  
IR=10μA  
INCHES  
MM  
2.5μA  
50μA  
35μA  
25nA  
VR=75V  
DIM  
A
MIN  
MAX  
MIN  
0.10  
1.15  
2.00  
MAX  
0.30  
1.35  
2.20  
NOTE  
.004  
.045  
.079  
.012  
.053  
.087  
VR=75V, TJ=150℃  
VR=25V, TJ=150℃  
VR=20V  
Reverse Voltage Leakage  
Current  
IR  
---  
B
C
D
F
.026  
0.65Nominal  
.012  
.071  
---  
.035  
.010  
.004  
.016  
.087  
.004  
.039  
.016  
.016  
0.30  
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
0.6  
---  
---  
---  
---  
0.72V  
0.855V  
1.0V  
IF=5.0mA  
IF=10mA  
IF=50mA  
IF=150mA  
VR=0V, f=1MHZ  
IR==IF=10mA,  
Irr=0.1xIR,  
RL=100Ω  
H
J
1.80  
---  
VF  
Forward Voltage  
K
0.90  
0.25  
0.10  
1.25V  
4.0pF  
L
M
CT  
trr  
Total Capacitance  
Reverse Recovery Time  
---  
4.0ns  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 2  
2006/05/13  
123

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与MMBD4448DW-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD4448DW-T1 WTE

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-6
MMBD4448DW-T1-LF WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
MMBD4448DW-TP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLAST
MMBD4448DW-TP MILL-MAX

获取价格

 		0.25 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, ULTRA SMALL, PLASTIC, 6 PIN
MMBD4448DW-TP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, U
MMBD4448E SWST

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 		小信号开关二极管
MMBD4448F SECOS

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MMBD4448FPT CHENMKO

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