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MMBD4448H-7-F

更新时间： 2024-02-26 12:14:22
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 344K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

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MMBD4448H-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：1.29
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.72 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：80 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MMBD4448H-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: MMBD4448H  
MMBD4448H  
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE  
Lead-free  
Features  
·
·
·
·
·
Fast Switching Speed  
SOT-23  
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion  
A
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
B
C
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
TOP VIEW  
Mechanical Data  
D
E
G
·
Case: SOT-23  
H
G
H
J
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
M
J
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
L
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
K
L
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe).  
M
a
·
·
·
Polarity: See Diagram  
TOP VIEW  
Marking: KA3 (See Page 3)  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
80  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
57  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectified Output Current (Note 1)  
500  
250  
mA  
mA  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
4.0  
2.0  
IFSM  
Pd  
A
@ t = 1.0s  
Power Dissipation (Note 1)  
350  
357  
mW  
°C/W  
°C  
R
qJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IR = 2.5mA  
80  
¾
V
IF = 5.0mA  
IF = 10mA  
IF = 100mA  
IF = 150mA  
0.62  
¾
0.72  
0.855  
1.0  
VF  
Forward Voltage  
V
¾
¾
1.25  
VR = 70V  
100  
50  
nA  
mA  
mA  
nA  
VR = 75V, Tj = 150°C  
VR = 25V, Tj = 150°C  
VR = 20V  
IR  
Reverse Current (Note 2)  
¾
30  
25  
VR = 6V, f = 1.0MHz  
VR = 6V, IF = 5mA  
CT  
trr  
Total Capacitance  
¾
¾
3.5  
4.0  
pF  
ns  
Reverse Recovery Time  
Notes: 1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
DS30176 Rev. 6 - 2  
1 of 3  
MMBD4448H  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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