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MMBD4448HADW-T

更新时间： 2024-11-22 09:53:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
4页 669K
描述
Diode,

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MMBD4448HADW-T 数据手册

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MMBD4448HAQW/  
ADW/CDW/SDW/  
CQW/TW  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
•
Fast Switching Speed  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance, Power Dissipation  
Ultra-Small Surface Mount Package  
200mW  
Switching Diodes  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
SOT-363  
G
Maximum Ratings  
Symbol  
VRM  
VRRM  
VRWM  
VR  
Rating  
Rating  
100  
Unit  
V
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
C
B
80  
V
VR(RMS)  
IFM  
IO  
RMS Reverse Voltage  
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
57  
500  
250  
V
mA  
mA  
A
H
Peak Forward Surge Current @1.0μs  
4.0  
2.0  
IFSM  
A
M
@1.0s  
K
Thermal Resistance Junction to Ambient  
℃/W  
mW  
℃
R
θ
625  
200  
150  
J
JA  
F
D
PD  
TJ  
Power dissipation  
Junction Temperature  
L
Storage Temperature  
℃
TSTG  
-65 to +150  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Test Conditions  
DIMENSIONS  
V(BR)  
Reverse Breakdown Voltage  
80V  
---  
IR=100μA  
INCHES  
MM  
100nA  
50μA  
30μA  
25nA  
VR=70V  
DIM  
A
MIN  
MAX  
MIN  
0.10  
1.15  
2.00  
MAX  
0.30  
1.35  
2.20  
NOTE  
.004  
.045  
.079  
.012  
.053  
.087  
VR=75V, TJ=150℃  
VR=25V, TJ=150℃  
VR=20V  
Reverse Voltage Leakage  
Current  
IR  
---  
B
C
D
F
.026  
0.65Nominal  
.012  
.071  
---  
.035  
.010  
.004  
.016  
.087  
.004  
.039  
.016  
.016  
0.30  
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
0.62  
---  
---  
---  
---  
0.72V  
0.855V  
1.0V  
IF=5.0mA  
IF=10mA  
IF=50mA  
IF=150mA  
VR=6V, f=1MHZ  
IF=5mA,  
H
J
1.80  
---  
VF  
Forward Voltage  
K
0.90  
0.25  
0.10  
1.25V  
3.5pF  
L
M
CT  
trr  
Total Capacitance  
VR=6V  
Reverse Recovery Time  
---  
4.0ns  
AC  
1
C3  
C1  
C2  
C2  
A2  
A
C1  
A2  
A2  
C1  
C2  
C2  
A1  
C2  
A1  
A2  
C
AC  
2
A1  
A2  
A3  
C1  
C4  
NC  
C3  
A1  
C2  
A2  
A1  
A1  
NC  
C1  
C1  
A3  
A4  
Marking: KA4  
MMBD4448HCQW  
Marking: KA5  
MMBD4448HAQW  
Marking: KAA  
MMBD4448HTW  
Marking: KA6  
MMBD4448HADW  
Marking: KAB  
MMBD4448HSDW  
Marking: KA7  
MMBD4448HCDW  
www.mccsemi.com  
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Revision: 2  
2006/05/13  
1234

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与MMBD4448HADW-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD4448HADW-T1 WTE

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 		Rectifier Diode, 4 Element, 0.25A, 80V V(RRM), Silicon,
MMBD4448HADW-T1-LF WTE

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 		Rectifier Diode, 4 Element, 0.25A, 80V V(RRM), Silicon,
MMBD4448HADW-TP MCC

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 		Rectifier Diode, 4 Element, 0.25A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLAST
MMBD4448HADW-TP-HF MCC

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 		暂无描述
MMBD4448HAQW MCC

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 		200mW Switching Diodes
MMBD4448HAQW SECOS

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 		SOT-363

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