MMBD4448ADW

更新时间： 2024-02-28 13:39:18

品牌	Logo	应用领域
TRSYS		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	60K
描述
Plastic-Encapsulated Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBD4448ADW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.59	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.72 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：	4 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.2 W	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MMBD4448ADW 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

SOT-323 Plastic-Encapsulated Diode

SOT-323

MMBD4148W /BAS16W

FEATURES

SWITCHING DIODE

1. 25¡ À0. 05

Power dissipation

2. 30¡ À0. 05

P_D:

200 mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_O:

Collector-base voltage

V_R:

150

Unit: mm

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

Marking: A2, KA2, KT1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_{(BR) R}

I_R

Test conditions

I_R= 100µA

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

V_R=75V

µA

I_F=1mA

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=150mA

0.715

0.855

Forward voltage

V_F

1.25

C_D

t_rr

V_R=0V, f=1MHz

Diode capacitance

I_F=I_R=10mA

I_rr=0.1×I_R

Reveres recovery time

中文翻译

下载PDF

与MMBD4448ADW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD4448AQW	TRSYS	获取价格	Plastic-Encapsulated Diode
MMBD4448BPT	CHENMKO	获取价格	SWITCHING DIODE ARRAY
MMBD4448CAE	SWST	获取价格	小信号开关二极管
MMBD4448CCE	SWST	获取价格	小信号开关二极管
MMBD4448CDW	TRSYS	获取价格	Plastic-Encapsulated Diode
MMBD4448DDE	SWST	获取价格	小信号开关二极管
MMBD4448DW	SECOS	获取价格	Surface Mount Switching Diode Arra
MMBD4448DW	LGE	获取价格	Surface Mount Fast Switching Diodes
MMBD4448DW	MCC	获取价格	200mW Switching Diodes
MMBD4448DW	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE