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MMBD4448ADW

更新时间: 2024-11-18 04:39:31
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TRSYS 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
Plastic-Encapsulated Diode

MMBD4448ADW 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.59
Is Samacsys:NBase Number Matches:1

MMBD4448ADW 数据手册

  
Transys  
Electronics  
L
I M I T E D  
SOT-323 Plastic-Encapsulated Diode  
SOT-323  
MMBD4148W /BAS16W  
FEATURES  
SWITCHING DIODE  
1. 25¡ À0. 05  
Power dissipation  
2. 30¡ À0. 05  
PD:  
200 mW (Tamb=25)  
Collector current  
IO:  
Collector-base voltage  
VR:  
150  
75  
mA  
V
Unit: mm  
Operating and storage junction temperature range  
TJ, Tstg: -55to +150℃  
Marking: A2, KA2, KT1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR) R  
IR  
Test conditions  
IR= 100µA  
MIN  
MAX  
UNIT  
75  
V
Reverse breakdown voltage  
Reverse voltage leakage current  
VR=75V  
1
µA  
IF=1mA  
IF=10mA  
IF=50mA  
IF=150mA  
0.715  
0.855  
1
V
Forward voltage  
VF  
1.25  
CD  
trr  
VR=0V, f=1MHz  
2
Diode capacitance  
pF  
nS  
IF=IR=10mA  
Irr=0.1×IR  
4
Reveres recovery time  

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