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MMBD4448

更新时间： 2024-11-19 22:46:07
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管
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5页 43K
描述
High Conductance Fast Diode

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DISCRETE POWER AND SIGNAL  
TECHNOLOGIES  
MMBD4448  
Features:  
General Description:  
• 350 milliwatt Power Dissipation package.  
The high breakdown voltage, fast switching speed and high  
forward conductance of this diode packaged in a SOT-23  
Surface Mount package makes it desirable also as a general  
purpose diode.  
• High Breakdown Voltage, Fast Switching Speed.  
• Typical capacitance less than 1.5 picofarad.  
Ordering:  
High Conductance  
Fast Diode  
• 7 inch reel (178 mm); 8 mm Tape; 3,000 units per reel.  
Absolute Maximum Ratings* TA = 25OC unless otherwise noted  
Sym  
Parameter  
Value  
Units  
Tstg  
TJ  
Storage Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
350  
OC  
OC  
Operating Junction Temperature  
PD  
Total Power Dissipation at TA = 25OC  
Linear Derating Factor from TA = 25OC  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient  
Working Inverse Voltage  
W
2.8  
mW/OC  
OC/W  
V
ROJA  
Wiv  
IO  
357  
75  
Average Rectified Current  
200  
mA  
IF  
DC Forward Current (IF)  
600  
mA  
if  
Recurrent Peak Forward Current (IF)  
Peak Forward Surge Current (IFSM) Pulse Width = 1.0 second  
Pulse Width = 1.0 microsecond  
700  
mA  
iF(surge)  
1.0  
Amp  
Amp  
2.0  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired  
CONNECTION DIAGRAMS  
PACKAGE  
3
TO-236AB (Low)  
Top Mark: RAB  
1
2
Electrical Characteristics  
TA = 25OC unless otherwise noted  
SYM  
CHARACTERISTICS  
MIN  
MAX  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
BV Breakdown Voltage  
75  
100  
V
V
IR = 100 uA  
IR  
=
5.0 uA  
IR Reverse Leakage  
25  
50  
5.0  
nA  
uA  
uA  
VR  
VR  
VR  
=
=
=
20 V  
20 V TA = 150 Deg C  
75 V  
VF Forward Voltage  
620  
720  
1.0  
mV  
V
IF  
=
5 mA  
IF = 100 mA  
CT Capacitance  
2.0  
4.0  
pF  
ns  
VR 0.0 V, f = 1.0 MHz  
=
TRR Reverse Recovery Time  
IF = 10 mA IR = 10 mA  
IRR = 1.0 Ma, RL = 100 ohms  
VFM Peak Forward Recovery Voltage  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
2.5  
V
IF = 50 mA Pk Square Wave  
Revision A; November 10, 1998  
12345

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