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MMBD4448_

更新时间： 2024-11-18 04:39:31
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美台 - DIODES 二极管开关
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3页 332K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

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MMBD4448_ 数据手册

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SPICE MODEL: MMBD4448  
MMBD4448  
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE  
Features  
·
·
·
·
·
Fast Switching Speed  
SOT-23  
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
A
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
B
C
Mechanical Data  
TOP VIEW  
·
Case: SOT-23  
D
E
G
·
Case material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
G
H
J
H
K
M
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
J
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
L
K
L
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe).  
·
·
·
Polarity: See Diagram  
M
a
Marking: KA3 (See Page 2)  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
MMBD4448  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
75  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
53  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectified Output Current (Note 1)  
500  
250  
mA  
mA  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
4.0  
2.0  
IFSM  
Pd  
A
@ t = 1.0s  
Power Dissipation (Note 1)  
350  
357  
mW  
°C/W  
°C  
R
qJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
¾
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
V
IR = 2.5mA  
75  
0.72  
IF = 5.0mA  
IF = 10mA  
IF = 100mA  
IF = 150mA  
0.62  
¾
0.855  
VF  
Forward Voltage (Note 2)  
Reverse Current (Note 2)  
V
¾
1.0  
¾
1.25  
VR = 75V  
2.5  
50  
30  
25  
mA  
mA  
mA  
nA  
VR = 75V, Tj = 150°C  
VR = 25V, Tj = 150°C  
VR = 20V  
IR  
¾
VR = 0, f = 1.0MHz  
CT  
trr  
Total Capacitance  
¾
¾
4.0  
4.0  
pF  
ns  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
Notes: 1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
DS12011 Rev. 11 - 2  
1 of 3  
MMBD4448  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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