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MJF122

更新时间： 2024-11-02 22:30:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 270K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS

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MJF122 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.3外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：5 A基于收集器的最大容量：200 pF
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：2000JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：30 W
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
VCEsat-Max：3.5 VBase Number Matches：1

MJF122 数据手册

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by MF122/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
For Isolated Package Applications  
Designed for general–purpose amplifiers and switching applications, where the  
mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink  
or chassis.  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER DARLINGTONS  
5 AMPERES  
•
•
•
•
•
•
•
Electrically Similar to the Popular TIP122 and TIP127  
100 V  
5 A Rated Collector Current  
No Isolating Washers Required  
Reduced System Cost  
CEO(sus)  
100 VOLTS  
30 WATTS  
High DC Current Gain — 2000 (Min) @ I = 3 Adc  
C
RMS  
UL Recognized, File #E69369, to 3500 V  
Isolation  
CASE 221D–02  
TO–220 TYPE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
100  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CB  
V
EB  
RMS Isolation Voltage (1)  
(for 1 sec, R.H. < 30%,  
Test No. 1 Per Fig. 14  
Test No. 2 Per Fig. 15  
Test No. 3 Per Fig. 16  
V
ISOL  
4500  
3500  
1500  
V
RMS  
T
= 25 C)  
A
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
5
8
Adc  
Adc  
C
Base Current  
I
0.12  
B
Total Power Dissipation* @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
30  
0.24  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2
Watts  
W/ C  
0.016  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
I
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
62.5  
4.1  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case*  
Lead Temperature for Soldering Purpose  
R
R
θJA  
θJC  
T
L
260  
* Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface (in a location beneath the die), the device mounted on  
a heatsink with thermal grease and a mounting torque of ≥ 6 in. lbs.  
(1) Proper strike and creepage distance must be provided.  
Motorola, Inc. 1995
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJF122G ONSEMI

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30 W
MJF122G ROCHESTER

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 		5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221D-03, TO-220, 3 PIN
MJF127 ONSEMI

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30 W
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 		POWER TRANSISTOR

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