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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJF127
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MJF127

更新时间： 2024-11-02 22:30:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 270K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS

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MJF127 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.77
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：5 A
基于收集器的最大容量：300 pF集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：2000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：30 W最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzVCEsat-Max：3.5 V
Base Number Matches：1

MJF127 数据手册

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by MF122/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
For Isolated Package Applications  
Designed for general–purpose amplifiers and switching applications, where the  
mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink  
or chassis.  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER DARLINGTONS  
5 AMPERES  
•
•
•
•
•
•
•
Electrically Similar to the Popular TIP122 and TIP127  
100 V  
5 A Rated Collector Current  
No Isolating Washers Required  
Reduced System Cost  
CEO(sus)  
100 VOLTS  
30 WATTS  
High DC Current Gain — 2000 (Min) @ I = 3 Adc  
C
RMS  
UL Recognized, File #E69369, to 3500 V  
Isolation  
CASE 221D–02  
TO–220 TYPE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
100  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CB  
V
EB  
RMS Isolation Voltage (1)  
(for 1 sec, R.H. < 30%,  
Test No. 1 Per Fig. 14  
Test No. 2 Per Fig. 15  
Test No. 3 Per Fig. 16  
V
ISOL  
4500  
3500  
1500  
V
RMS  
T
= 25 C)  
A
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
5
8
Adc  
Adc  
C
Base Current  
I
0.12  
B
Total Power Dissipation* @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
30  
0.24  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2
Watts  
W/ C  
0.016  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
I
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
62.5  
4.1  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case*  
Lead Temperature for Soldering Purpose  
R
R
θJA  
θJC  
T
L
260  
* Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface (in a location beneath the die), the device mounted on  
a heatsink with thermal grease and a mounting torque of ≥ 6 in. lbs.  
(1) Proper strike and creepage distance must be provided.  
Motorola, Inc. 1995
12345678

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与MJF127相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJF127G ONSEMI

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30 W
MJF127G ROCHESTER

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 		5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221D-03, TO-220, 3 PIN
MJF13007 MOTOROLA

获取价格

 		POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 400 VOLTS 80/40 WATTS
MJF13007 ONSEMI

获取价格

 		POWER TRANSISTOR
MJF13007 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
MJF13007 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
MJF13009 ISC

获取价格

 		isc Silicon NPN Power Transistor
MJF13009 MOTOROLA

获取价格

 		12A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN
MJF13009 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
MJF15030 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors

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