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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJF13007
MJF13007 PDF预览

MJF13007

更新时间： 2024-11-02 22:30:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
12页 133K
描述
POWER TRANSISTOR

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MJF13007 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：PLASTIC, ISOLATED TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.46
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：14 MHzBase Number Matches：1

MJF13007 数据手册

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ON Semiconductort  
MJE13007  
SWITCHMODEt  
NPN Bipolar Power Transistor  
For Switching Power Supply Applications  
The MJE13007 is designed for high–voltage, high–speed power  
switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly  
suited for 115 and 220 V switchmode applications such as Switching  
Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Relay drivers and  
Deflection circuits.  
POWER TRANSISTOR  
8.0 AMPERES  
400 VOLTS  
80 WATTS  
• V  
400 V  
CEO(sus)  
• Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ T = 100°C  
C
• 700 V Blocking Capability  
• SOA and Switching Applications Information  
• Standard TO–220  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
MJE13007  
400  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CES  
V
EBO  
700  
9.0  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak (1)  
I
C
8.0  
16  
I
I
I
CM  
Base Current — Continuous  
Base Current — Peak (1)  
I
B
4.0  
8.0  
Adc  
Adc  
BM  
Emitter Current — Continuous  
Emitter Current — Peak (1)  
I
E
12  
24  
EM  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
80  
Watts  
C
Derate above 25°C  
0.64  
W/°C  
Operating and Storage Temperature  
T , T  
– 65 to 150  
°C  
CASE 221A–09  
TO–220AB  
MJE13007  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance  
— Junction to Case  
— Junction to Ambient  
R
R
°1.56°  
°62.5°  
°C/W  
θ
JC  
JA  
θ
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes: 1/8″ from Case for 5  
Seconds  
T
L
260  
°C  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle ≤ 10%.  
*Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface of the  
*package (in a location beneath the die), the device mounted on a heatsink with thermal grease applied  
*at a mounting torque of 6 to 8•lbs.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
May, 2001 – Rev. 3  
MJE13007/D  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJF13009 ISC

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 		isc Silicon NPN Power Transistor
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 		12A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN
MJF13009 NJSEMI

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 		Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
MJF15030 SAVANTIC

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 		Silicon NPN Power Transistors
MJF15030 MOTOROLA

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 150 VOLTS 36 WATTS
MJF15030 ONSEMI

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 150 VOLTS, 36 WATTS
MJF15030_08 ONSEMI

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MJF15030-BS01 MCC

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
MJF15030-BS01-BP MCC

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