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MJF15030-BS01-BP PDF预览

MJF15030-BS01-BP

更新时间： 2024-11-03 14:53:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 221K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220F, 3 PIN

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MJF15030-BS01-BP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

MJF15030-BS01-BP 数据手册

 浏览型号MJF15030-BS01-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
TM  
MJF15030-BS01  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
•
•
•
•
·
General-purpose Amplifier and Switching Applications  
No Isolating Washers Required  
Reduced System Cost  
Silicon Power  
Transistors  
150 Volts  
Special Marking: TLC  
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
Maximum Ratings @ 25OC Unless Otherwise Noted  
Symbol  
Rating  
Value  
Unit  
V
TO-220F  
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
150  
A
M
N
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
150  
V
VEB  
5.0  
V
Collector Current- Continuous  
- Peak  
8.0  
16  
IC  
IB  
A
A
C
K
Base Current  
2.0  
Total Power Dissipation*  
@TC=25 OC  
D
E
PD  
36  
2.0  
W
@TA=25OC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55~+150  
OC  
Thermal Characteristics  
F
Symbol  
Characteristic  
Max  
Unit  
P
RQJC  
Thermal Resistance, Junction to Case*  
3.5  
OC /W  
J
* Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting  
surface (in a location beneath the die ),the device mounted on a heatsink with thermal  
grease and a mounting torque of>6 in. Ibs.  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Noted  
H
Q
Symbol  
VCEO(SUS)  
VCE(sat)  
VBE  
Characteristic  
Min  
Max  
-----  
0.5  
1.0  
10  
Unit  
V
G
3
1
2
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
(IC=10mA,IB=0)  
150  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=1.0A,IB=0.1A)  
V
Emitter-Base on Voltage  
(IC=1.0A,VCE=2.0V)  
V
DIMENSIONS  
Collector Cut-off Current  
(VCE=150V,IB=0)  
INCHES  
MM  
DIM  
NOTE  
ICEO  
----  
----  
----  
µA  
µA  
µA  
MIN  
.388  
MAX  
.407  
MIN  
9.85  
MAX  
A
B
C
D
E
F
10.35  
3.55  
2.83  
15.5  
13.2  
4.25  
2.57  
.73  
1.43  
7.25  
4.75  
3.31  
2.48  
.73  
.128  
.101  
.570  
.496  
.148  
.096  
.019  
.046  
.266  
.165  
.110  
.097  
.019  
.145  
.111  
.610  
.520  
.167  
.101  
.029  
.056  
.285  
.190  
.130  
.107  
.029  
3.25  
2.57  
14.9  
12.6  
3.75  
2.44  
.47  
1.17  
6.75  
4.25  
2.81  
2.72  
.47  
Collector Cut-off Current  
(VCB=150V,IE=0)  
ICBO  
10  
Emitter Cut-off Current  
(VBE=5.0V,IC=0)  
IEBO  
10  
G
H
J
DC Current Gain ( IC=0.1A,VCE=2.0V)  
( IC=2.0A,VCE=2.0V)  
( IC=3.0A,VCE=2.0V)  
40  
40  
40  
20  
----  
----  
----  
----  
K
M
N
P
Q
hFE  
( IC=4.0A,VCE=2.0V)  
Transition Frequency  
( IC=500mA, VCE=10V)  
fT  
30  
----  
MHz  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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