5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD32CT4G
MJD32CT4G PDF预览

MJD32CT4G

更新时间： 2024-01-02 05:14:52
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 82K
描述
Complementary Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJD32CT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.57Samacsys Description：NULL
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHz

MJD32CT4G 数据手册

 浏览型号MJD32CT4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJD32CT4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJD32CT4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJD32CT4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MJD32CT4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MJD32CT4G的Datasheet PDF文件第7页 
MJD31, MJD31C (NPN),  
MJD32, MJD32C (PNP)  
MJD31C and MJD32C are Preferred Devices  
Complementary Power  
Transistors  
DPAK For Surface Mount Applications  
http://onsemi.com  
Designed for general purpose amplifier and low speed switching  
applications.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
3 AMPERES  
Features  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix)  
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)  
• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series  
40 AND 100 VOLTS  
15 WATTS  
• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
Machine Model, C u 400 V  
MARKING  
DIAGRAMS  
• Pb−Free Packages are Available  
4
DPAK  
YWW  
CASE 369C  
STYLE 1  
J3xxG  
2
1
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
Vdc  
CEO  
4
40  
100  
MJD31, MJD32  
MJD31C, MJD32C  
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 1  
YWW  
J3xxG  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
Vdc  
CB  
EB  
40  
100  
MJD31, MJD32  
MJD31C, MJD32C  
1
2
3
V
5
Vdc  
Adc  
Collector Current − Continuous  
− Peak  
I
3
5
C
Y
WW  
xx  
= Year  
= Work Week  
= 1, 1C, 2, or 2C  
Base Current  
I
1
Adc  
B
G
= Pb−Free Package  
P
P
15  
0.12  
W
W/°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
D
D
C
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
1.56  
0.012  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
W
W/°C  
A
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to  
+150  
°C  
J
stg  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
8.3  
80  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient*  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
R
q
JC  
R
q
JA  
T
260  
L
*These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes  
recommended.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
June, 2005 − Rev. 6  
MJD31/D  
12345678

中文翻译

下载PDF

MJD32CT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD32CRL ONSEMI

完全替代

 Complementary Power Transistors
MJD32CRLG ONSEMI

类似代替

 Complementary Power Transistors
MJD32CG ONSEMI

类似代替

 Complementary Power Transistors

与MJD32CT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD32CTF FAIRCHILD

获取价格

 		General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD32CTF ONSEMI

获取价格

 		3.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
MJD32CTF-NBDD002 FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
MJD32CTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor
MJD32CTM ONSEMI

获取价格

 		3.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
MJD32C-TP MCC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planer Transistors
MJD32CUQ DIODES

获取价格

 		PNP, 100V, 3A, TO252
MJD32I FAIRCHILD

获取价格

 		3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3
MJD32-I FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
MJD32-I ONSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor

与MJD32CT4G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证