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MJD32TF PDF预览

MJD32TF

更新时间： 2024-01-02 06:15:52
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 109K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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MJD32TF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.69最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：140 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

MJD32TF 数据手册

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MJD32/32C  
General Purpose Amplifier Low Speed  
Switching Applications  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP32 and TIP32C  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
- 40  
- 100  
V
V
CBO  
: MJD32  
: MJD32C  
Collector-Emitter Voltage  
- 40  
- 100  
V
V
CEO  
: MJD32  
: MJD32C  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
- 3  
V
A
EBO  
I
I
I
C
- 5  
A
CP  
B
- 1  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
15  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.56  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
: MJD32  
: MJD32C  
I
= - 30mA, I = 0  
-40  
-100  
V
V
C
B
I
I
I
Collector Cut-off Current  
: MJD32  
V
V
= - 40V, I = 0  
= - 60V, I = 0  
B
-50  
-50  
µA  
µA  
CE  
CE  
B
: MJD32C  
Collector Cut-off Current  
: MJD32  
V
V
= - 40V, V = 0  
= - 100V, V = 0  
BE  
-20  
-20  
µA  
µA  
CE  
CE  
BE  
: MJD32C  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 5V, I = 0  
-1  
mA  
BE  
C
h
V
V
= - 4V, I = - 1A  
25  
10  
FE  
CE  
CE  
C
= - 4V, I = - 3A  
50  
-1.2  
-1.8  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= - 3, I = - 375mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= - 4A, I = - 3A  
C
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= -10V, I = - 500mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD340 TYSEMI

获取价格

 		Load Formed for Surface Mount Application
MJD340 DIODES

获取价格

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MJD340 KEXIN

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MJD340 ONSEMI

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MJD340 STMICROELECTRONICS

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MJD340 MOTOROLA

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