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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD32C-TP
MJD32C-TP PDF预览

MJD32C-TP

更新时间： 2024-01-19 09:07:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 590K
描述
Silicon PNP epitaxial planer Transistors

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MJD32C-TP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPACK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.59
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

MJD32C-TP 数据手册

 浏览型号MJD32C-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJD32C-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJD32C-TP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MJD32C  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Silicon  
PNP epitaxial planer  
Transistors  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS  
Compliant. See ordering information)  
·
·
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Electrically similar to popular TIP32 Series  
Designed for general purpose amplifier and low speed switching  
applications.  
Maximum Thermal Resistance: 100oC/W Junction to Ambient  
·
DPAK  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
J
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
-100  
-100  
-5  
Unit  
V
V
H
1
2
3
C
I
O
V
Collector Current-Continuous  
-3  
A
F
E
PC  
Collector Dissipation  
1.25  
150  
-65 to +150  
W
R
R
TJ  
Operating Junction Temperature  
TSTG  
Storage Temperature  
M
V
K
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-30mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
-100  
---  
---  
Vdc  
G
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICEO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-1mAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=-60Vdc, IB=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=-100Vdc, VEB=0)  
Emitter Cutoff Current  
-100  
-5  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Q
---  
---  
-50  
-20  
-1  
uAdc  
uAdc  
mAdc  
ICES  
A
---  
---  
IEBO  
L
---  
---  
D
B
(VEB=-5Vdc, IC=0)  
PIN 1. BASE  
PIN 2. COLLECTOR  
PIN 3. EMITTER  
hFE  
DC Current Gain  
(IC=-1Adc, VCE=-4Vdc)  
---  
---  
---  
50  
25  
10  
(IC=-3Adc, VCE=-4Vdc)  
DIMENSIONS  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-3Adc, IB=-0.375Adc) (note 1)  
INCHES  
MAX  
MM  
---  
---  
-1.2  
Vdc  
DIM  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
MIN  
MIN  
MAX  
2.40  
0.13  
0.86  
0.58  
6.70  
5.46  
NOTE  
0.087  
0.000  
0.026  
0.018  
0.256  
0.201  
0.094  
0.005  
0.034  
0.023  
0.264  
0.215  
2.20  
0.00  
0.66  
0.46  
6.50  
5.10  
VBE(on)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-3Adc, VCE=-4Vdc ) (note 1)  
---  
3
---  
---  
-1.8  
---  
Vdc  
Transition frequency  
(VCE=-10Vdc,IC=-0.5Adc,fT=1KHz)  
fT  
MHZ  
0.190  
4.83  
0.236  
0.086  
0.386  
0.244  
0.094  
0.409  
6.00  
2.18  
9.80  
6.20  
2.39  
10.40  
Note:  
1. Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
J
K
L
M
O
Q
V
0.114  
0.063  
0.043  
0.000  
2.90  
1.60  
0.055  
0.067  
1.40  
1.70  
0.051  
0.012  
1.10  
0.00  
1.30  
0.30  
0.211  
5.35  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

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