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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD200T4
MJD200T4 PDF预览

MJD200T4

更新时间： 2024-11-23 22:33:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 239K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

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MJD200T4 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.21
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A基于收集器的最大容量：80 pF
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PDSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：12.5 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：65 MHz最大关闭时间（toff）：190 ns
VCEsat-Max：1.8 VBase Number Matches：1

MJD200T4 数据手册

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by MJD200/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount  
Applications  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
5 AMPERES  
. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.  
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
= 25 Vdc (Min) @ I = 10 mAdc  
V
CEO(sus)  
High DC Current Gain — h  
C
25 VOLTS  
12.5 WATTS  
•
= 70 (Min) @ I = 500 mAdc  
FE  
C
= 45 (Min) @ I = 2 Adc  
C
= 10 (Min) @ I = 5 Adc  
C
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)  
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)  
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)  
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —  
V
= 0.3 Vdc (Max) @ I = 500 mAdc  
CE(sat)  
C
= 0.75 Vdc (Max) @ I = 2.0 Adc  
C
•
•
High Current–Gain — Bandwidth Product — f = 65 MHz (Min) @ I = 100 mAdc  
Annular Construction for Low Leakage — I  
T
CBO  
C
CASE 369A–13  
= 100 nAdc @ Rated V  
CB  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Base Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CB  
V
CEO  
25  
V
EB  
8
CASE 369–07  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
5
10  
Base Current  
I
B
1
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
P
12.5  
0.1  
Watts  
W/ C  
D
MINIMUM PAD SIZES  
RECOMMENDED FOR  
SURFACE MOUNTED  
APPLICATIONS  
Derate above 25 C  
Total Device Dissipation @ T = 25 C*  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.4  
0.011  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient*  
R
θJC  
R
θJA  
10  
89.3  
C/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V
25  
—
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 40 Vdc, I = 0)  
—
—
100  
100  
inches  
mm  
E
= 40 Vdc, I = 0, T = 125 C)  
E
J
Emitter Cutoff Current (V  
BE  
= 8 Vdc, I = 0)  
I
—
100  
nAdc  
C
EBO  
* When surface mounted on minimum pad sizes recommended.  
(continued)  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle  
2%.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD200T4G ONSEMI

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 		Complementary Plastic Power Transistors
MJD200TF FAIRCHILD

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MJD210 UTC

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