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MH32S64PFJ-6

更新时间： 2024-09-12 22:26:39

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三菱 - MITSUBISHI		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
55页	686K
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2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

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MH32S64PFJ-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM144,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.44 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MH32S64PFJ-6 数据手册

Preliminary Spec.

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MITSUBISHI LSIs

MH32S64PFJ -6, -6L -7,-7L

2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

DESCRIPTION

Utilizes industry standard 16M x 16 Synchronous

DRAMs TSOP and industry standard EEPROM in

TSSOP

144-pin (72-pin dual in-line package)

single 3.3V±0.3V power supply

The MH32S64PFJ is 33554432 - word by 64-bit

Synchronous DRAM module. This consists of eight

industry standard 16Mx16 Synchronous DRAMs in

TSOP and one industory standard EEPROM in

TSSOP.

Fully synchronous operation referenced to clock rising

edge

The mounting of TSOP on a card edge Dual

Inline package provides any application where

high densities and large quantities of memory are

required.

This is a socket type - memory modules, suitable

for easy interchange or addition of modules.

4 bank operation controlled by BA0,1(Bank Address)

/CAS latency- 2/3(programmable)

Burst length- 1/2/4/8/Full Page(programmable)

Burst type- sequential / interleave(programmable)

Column access - random

FEATURES

CLK Access Time

Frequency

(Component SDRAM)

Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

5.4ns(CL=3)

6.0ns(CL=2)

-6,-6L

-7,-7L

133MHz

100MHz

8192 refresh cycle /64ms

LVTTL Interface

PC133/100 Compliant

APPLICATION

main memory or graphic memory in computer systems

PCB Outline

(Front)

(Back)

143

144

MITSUBISHI

ELECTRIC

MIT-DS-0337-0.2

26.Apr.2001

( 1 / 55 )

12 3 4 5 6 7...55

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH32S64PFJ-6L	MITSUBISHI	获取价格	2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MH32S64PFJ-7	MITSUBISHI	获取价格	2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MH32S64PFJ-7L	MITSUBISHI	获取价格	2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
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