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MH32S72AVJA-5

更新时间： 2024-11-21 20:10:59

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
57页	993K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168

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MH32S72AVJA-5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	2415919104 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.268 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	3.31 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MH32S72AVJA-5 数据手册

MITSUBISHI LSIs

MH32S72AVJA-5,-6

2,415,919,104-BIT ( 33,554,432-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM

DESCRIPTION

The MH32S72AVJA is 33554432 - word x 72-bit

Sy nchronous DRAM module. This consist of eighteen

industry standard 32M x 4 Sy nchronous DRAMs in TSOP.

The TSOP on a card edge dual in-line package prov ides

any application where high densities and large of

quantities memory are required.

This is a socket-ty pe memory module ,suitable f or

easy interchange or addition of module.

85pin

1pin

FEATURES

Max.

CLK Access Time

(at Latch mode)

Frequency

94pin

95pin

10pin

11pin

-5

-6

133MHz

5.4ns (CL = 3)

5.4ns (CL = 4)

Utilizes industry standard 32M X 4 Synchronous DRAMs in

TSOP package , industry standard Resistered buffer in TSSOP

package,industry standard PLL in TSSOP package

Single 3.3V +/- 0.3V supply

Max.Clock frequency 133MHz

124pin

125pin

40pin

41pin

Fully synchronous operation referenced to clock rising edge

4-bank operation controlled by BA0,BA1(Bank Address)

/CAS latency -2/3(programmable,at buffer mode)

LVTTL Interface

Burst length 1/2/4/8/Full Page(programmable)

Burst type- Sequential and interleave burst (programmable)

Random column access

Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

4096 refresh cycles every 64ms

Discrete IC and module design conform to

PC133 specification.

APPLICATION

84pin

168pin

Main memory or graphic memory in computer systems

MITSUBISHI

ELECTRIC

20.Sep.2001

MIT-DS-0376-1.3

12 3 4 5 6 7...57

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