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MH32S72BBFA-6

更新时间： 2024-09-14 22:12:39

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
56页	960K
描述
2,415,919,104-BIT ( 33,554,432-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM

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MH32S72BBFA-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	2415919104 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	最大待机电流：	0.071 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	5.435 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MH32S72BBFA-6 数据手册

MITSUBISHI LSIs

MH32S72BBFA -6

2,415,919,104-BIT ( 33,554,432-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM

DESCRIPTION

The MH32S72BBFA is 33554432 - word x 72-bit

Sy nchronous DRAM stacked structural module. This

consist of thirty -six industry standard 16M x 4

Sy nchronous DRAMs in TSOP.

The stacked structure of TSOP on a card edge dual in-

line package prov ides any application where high

densities and large of quantities memory are required.

This is a socket-ty pe memory module ,suitable for

easy interchange or addition of module.

85pin

1pin

94pin

95pin

10pin

11pin

FEATURES

CLK

Access Time

[latch mode]

(CL = 4)

Max.

Frequency

Type name

MH32S72BBFA-6

133MHz

5.4ns

124pin

125pin

40pin

41pin

Utilizes industry standard 16M X 4 Synchronous DRAMs in

TSOP package , industry standard Resister in TSSOP package ,

and industry standard PLL in TSSOP package.

Single 3.3V +/- 0.3V supply

Burst length 1/2/4/8/Full Page (programmable)

Burst type sequential / interleave (programmable)

Column access random

Burst W rite / Single W rite (programmable)

Auto precharge / Auto bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

LVTTL Interface

4096 refresh cycles every 64ms

APPLICATION

84pin

168pin

Main memory unit for computers, Microcomputer memory.

16/Jun. /1999

MIT-DS-333-0.1

MITSUBISHI

ELECTRIC

12 3 4 5 6 7...56

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