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MH32S72BAFA-8

更新时间： 2024-11-04 22:05:27

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
54页	775K
描述
2,415,919,104-BIT ( 33,554,432-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM

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MH32S72BAFA-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	2415919104 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.071 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	5.435 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MH32S72BAFA-8 数据手册

MITSUBISHI LSIs

MH32S72BAFA -7,-8

2,415,919,104-BIT ( 33,554,432-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM

DESCRIPTION

The MH32S72BAFA is 33554432 - word x 72-bit

Synchronous DRAM stacked structural module. This consist

of thirty-six industry standard 16M x 4 Synchronous

DRAMs in TSOP.

The stacked structure of TSOP on a card edge dual in-line

package provides any application where high densities and

large of quantities memory are required.

This is a socket-type memory module ,suitable for easy

interchange or addition of module.

85pin

1pin

94pin

95pin

10pin

11pin

FEATURES

CLK

Max.

Frequency

Access Time

[latch mode]

(CL = 4)

Type name

MH32S72BAFA-7

MH32S72BAFA-8

100MHz

6ns

124pin

125pin

40pin

41pin

Utilizes industry standard 16M X 4 Synchronous DRAMs in

TSOP package , industry standard Resister in TSSOP

package , and industry standard PLL in TSSOP package.

Single 3.3V +/- 0.3V supply

Burst length 1/2/4/8/Full Page (programmable)

Burst type sequential / interleave (programmable)

Column access random

Burst Write / Single Write (programmable)

Auto precharge / Auto bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

LVTTL Interface

4096 refresh cycles every 64ms

Intel specifiation(rev. 1.0)compliant PCB and SPD 1.2A

APPLICATION

84pin

168pin

Main memory unit for computers, Microcomputer memory.

29.July.1998

MIT-DS-0243-0.0

MITSUBISHI

ELECTRIC

12 3 4 5 6 7...54

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