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MDD312-16N1

更新时间： 2024-09-17 14:59:35
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 332K
描述
双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。

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MDD312-16N1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.63
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.32 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X3最大非重复峰值正向电流：10500 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：310 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1600 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MDD312-16N1 数据手册

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NGB8202AN  
Ignition IGBT  
20 A, 400 V, N−Channel D2PAK  
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features  
monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped  
protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses  
include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and  
high current switching is required.  
Littelfuse.com  
20 AMPS, 400 VOLTS  
Features  
V
CE(on) = 1.3 V @  
• Ideal for Coil−on−Plug and Driver−on−Coil Applications  
• Gate−Emitter ESD Protection  
IC = 10 A, VGE . 4.5 V  
C
• Temperature Compensated Gate−Collector Voltage Clamp Limits  
Stress Applied to Load  
• Integrated ESD Diode Protection  
R
G
G
• Low Threshold Voltage for Interfacing Power Loads to Logic or  
Microprocessor Devices  
R
GE  
• Low Saturation Voltage  
• High Pulsed Current Capability  
E
• These are Pb−Free Devices  
Applications  
2
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 4  
• Ignition Systems  
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
MARKING DIAGRAM  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Gate Voltage  
Gate−Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
440  
Unit  
V
4
V
CES  
Collector  
V
CER  
440  
V
GB  
V
GE  
"15  
V
8202xxG  
AYWW  
Collector Current−Continuous  
I
C
20  
50  
A
DC  
A
AC  
@ T = 25°C − Pulsed  
C
Continuous Gate Current  
I
I
1.0  
20  
mA  
mA  
kV  
1
Gate  
3
G
Emitter  
2
Transient Gate Current (t≤2 ms, f≤100 Hz)  
ESD (Charged−Device Model)  
G
Collector  
ESD  
ESD  
2.0  
GB8202xx = Device Code  
xx = AN  
ESD (Human Body Model)  
kV  
R = 1500 W, C = 100 pF  
8.0  
A
= Assembly Location  
Y
WW  
G
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ESD (Machine Model) R = 0 W, C = 200 pF  
ESD  
500  
V
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
150  
1.0  
W
W/°C  
C
Derate above 25°C  
ORDERING INFORMATION  
Operating & Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to +175  
°C  
J
stg  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
NGB8202ANT4G  
NGB8202ANTF4G  
800/Tape & Reel  
700/Tape & Reel  
2
D PAK  
(Pb−Free)  
Specifications subject to change without notice. © 2016 Littelfuse, Inc.  
1
Publication Order Number:  
December, 2016 − Rev. 10  
NGB8202AN/D  
12345678

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与MDD312-16N1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MDD312-18IN1 LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 320A, 1800V V(RRM),
MDD312-18IO1 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 320A, 1800V V(RRM),
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 		High Power Diode Modules
MDD312-18N1 LITTELFUSE

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 		双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
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MDD3400A MDD

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 		SOT-23

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