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力特 - LITTELFUSE | 二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 166K | |
描述 | ||
双二极管模块产品组合提供多种封装,击穿电压高达2200V。 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-XUFM-X3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.65 | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.32 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X3 |
最大非重复峰值正向电流: | 10500 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 310 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1800 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MDD312-20N1 | IXYS |
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High Power Diode Modules | |
MDD312-20N1 | LITTELFUSE |
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双二极管模块产品组合提供多种封装,击穿电压高达2200V。 | |
MDD312-22N1 | IXYS |
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High Power Diode Modules | |
MDD312-22N1 | LITTELFUSE |
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双二极管模块产品组合提供多种封装,击穿电压高达2200V。 | |
MDD3400A | MDD |
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SOT-23-3 | |
MDD3401 | MDD |
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SOT-23 | |
MDD3752 | MGCHIP |
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P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m(ohm) | |
MDD3752A | MGCHIP |
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P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m(ohm) | |
MDD3752ARH | MGCHIP |
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P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m(ohm) | |
MDD3752RH | MGCHIP |
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P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m(ohm) |