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| 力特 - LITTELFUSE |  |
二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 104K |  |
| 描述 | ||
| Rectifier Diode, 320A, 1800V V(RRM), | ||
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V | 最大非重复峰值正向电流： | 9200 A |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 320 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 1800 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MDD312-18N1 | IXYS |
获取价格 |
High Power Diode Modules |
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| MDD312-18N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 |
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| MDD312-20N1 | IXYS |
获取价格 |
High Power Diode Modules |
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| MDD312-20N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 |
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| MDD312-22N1 | IXYS |
获取价格 |
High Power Diode Modules |
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| MDD312-22N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 |
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| MDD3400A | MDD |
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SOT-23-3 |
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| MDD3401 | MDD |
获取价格 |
SOT-23 |
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| MDD3752 | MGCHIP |
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P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m(ohm) |
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| MDD3752A | MGCHIP |
获取价格 |
P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m(ohm) |
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