MBD54DWT1

更新时间： 2024-11-22 22:30:03

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安森美 - ONSEMI		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	55K
描述
Dual Schottky Barrier Diodes

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MBD54DWT1 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	MINIATURE, CASE 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.43	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向电流：	2 µA	最大反向恢复时间：	0.005 µs
反向测试电压：	25 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

MBD54DWT1 数据手册

MBD54DWT1

Preferred Device

Dual Schottky Barrier

Diodes

These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching

applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low

forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount

package is excellent for hand held and portable applications where

space is limited.

http://onsemi.com

30 VOLTS

DUAL HOT−CARRIER

DETECTOR AND SWITCHING

DIODES

Features

• Extremely Fast Switching Speed

• Low Forward Voltage − 0.35 V @ I = 10 mAdc

• Pb−Free Package is Available

Anode 1

N/C 2

6 Cathode

5 N/C

MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)

Rating

Reverse Voltage

Forward Power Dissipation

Symbol

Value

Unit

Cathode 3

4 Anode

@ T = 25°C

150

1.2

mW/°C

Derate above 25°C

MARKING

DIAGRAM

Forward Current (DC)

Junction Temperature

Storage Temperature Range

200 Max

125 Max

°C

stg

−55 to +150

°C

SOT−363

CASE 419B−01

STYLE 6

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

M = Date Code

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

MBD54DWT1

SOT−363

3000/Tape & Reel

MBD54DWT1G

SOT−363

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

February, 2005 − Rev. 6

MBD54DWT1/D

12 3 4

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MBD54DWT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MBD54DWT1G	ONSEMI	类似代替	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD54DWT1	MOTOROLA	功能相似	30 VOLTS DUAL HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES

与MBD54DWT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBD54DWT1D	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD54DWT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD54DWT1G_09	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD54DWT2	ONSEMI	获取价格	2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 419B-01, 6 PIN
MBD54DWT3	MOTOROLA	获取价格	SILICON, MIXER DIODE, CASE 419B-01, 6 PIN
MBD701	MOTOROLA	获取价格	70 VOLTS HIGH.VOLTAGE SILICON HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
MBD701	ONSEMI	获取价格	SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
MBD701	LRC	获取价格	Silicon Hot-Carrier Diodes
MBD701_06	ONSEMI	获取价格	Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MBD701_09	ONSEMI	获取价格	Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes

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