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MBD770DWT1

更新时间： 2024-11-25 22:30:03

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安森美 - ONSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	73K
描述
Dual Schottky Barrier Diodes

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MBD770DWT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	CASE 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.28	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	1 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
频带：	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	最大功率耗散：	0.12 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	70 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

MBD770DWT1 数据手册

ON Semiconductort

MBD110DWT1

MBD330DWT1

MBD770DWT1

Dual Schottky Barrier Diodes

Application circuit designs are moving toward the consolidation of

device count and into smaller packages. The new SOT–363 package is

a solution which simplifies circuit design, reduces device count, and

reduces board space by putting two discrete devices in one small

six–leaded package. The SOT–363 is ideal for low–power surface

mount applications where board space is at a premium, such as

portable products.

ON Semiconductor Preferred Devices

Surface Mount Comparisons:

SOT–363

SOT–23

CASE 419B–01, STYLE 6

SOT–363

Area (mm )

4.6

120

7.6

225

Max Package P (mW)

Device Count

Space Savings:

Package

Anode 1

N/C 2

6 Cathode

1 ꢀ SOT–23

2 ꢀ SOT–23

SOT–363

40%

70%

5 N/C

Cathode 3

4 Anode

The MBD110DW, MBD330DW, and MBD770DW devices are

spin–offs of our popular MMBD101LT1, MMBD301LT1, and

MMBD701LT1 SOT–23 devices. They are designed for

high–efficiency UHF and VHF detector applications. Readily

available to many other fast switching RF and digital applications.

• Extremely Low Minority Carrier Lifetime

• Very Low Capacitance

• Low Reverse Leakage

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Reverse Voltage

MBD110DWT1

MBD330DWT1

MBD770DWT1

7.0

Vdc

Forward Power Dissipation

120

= 25°C

Junction Temperature

–55 to +125

–55 to +150

°C

Storage Temperature Range

stg

DEVICE MARKING

MBD110DWT1 = M4

MBD330DWT1 = T4

MBD770DWT1 = H5

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

November, 2001 – Rev.3

MBD110DWT1/D

12 3 4 5 6 7 8

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MBD770DWT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MBD770DWT1G	ONSEMI	类似代替	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD770DWT1	MOTOROLA	功能相似	Dual Schottky Barrier Diodes

与MBD770DWT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBD770DWT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD770DWT2	MOTOROLA	获取价格	SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE
MBD770DWT3	MOTOROLA	获取价格	Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon, CASE 419B-01, 6 PIN
MBD-902-AL	ETC	获取价格	Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor
MBD-902-CL	ETC	获取价格	Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor
MBD-902-XL	ETC	获取价格	Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor
MBDF1200ZEL	ONSEMI	获取价格	3000mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8
MBDF1200ZEL	MOTOROLA	获取价格	3000mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8
MBDQ01	POLYFET	获取价格	Power RF Amplifiers
MBE/SMA0414-150.1%CECC06C1437R	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Thin Film, 0.65W, 437ohm, 500V, 0.1% +/-Tol, 15ppm/Cel, Through Hole Mount

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