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MBD770DWT2

更新时间: 2024-10-18 15:40:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 128K
描述
SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE

MBD770DWT2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.79
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最大二极管电容:1 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
频带:VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PDSO-G6
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.12 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MBD770DWT2 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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MBE/SMA0414-150.1%CECC06KLC1118R VISHAY

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Fixed Resistor, Thin Film, 0.65W, 118ohm, 500V, 0.1% +/-Tol, 15ppm/Cel, Through Hole Mount