Datasheet > MBD770DWT1

MBD770DWT1

更新时间： 2024-11-25 22:30:03

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	183K
描述
Dual Schottky Barrier Diodes

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MBD770DWT1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.28
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	1 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	频带：	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.12 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	70 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MBD770DWT1 数据手册

Order this document

by MBD110DWT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Application circuit designs are moving toward the consolidation of device count and

into smaller packages. The new SOT–363 package is a solution which simplifies

circuit design, reduces device count, and reduces board space by putting two discrete

devices in one small six–leaded package. The SOT–363 is ideal for low–power

surface mount applications where board space is at a premium, such as portable

products.

Motorola Preferred Devices

Surface Mount Comparisons:

SOT–363

SOT–23

CASE 419B–01, STYLE 6

SOT–363

Area (mm )

4.6

120

7.6

225

Max Package P (mW)

Device Count

Space Savings:

Package

SOT–23

40%

SOT–23

70%

SOT–363

The MBD110DW, MBD330DW, and MBD770DW devices are spin–offs of our

popular MMBD101LT1, MMBD301LT1, and MMBD701LT1 SOT–23 devices. They

are designed for high–efficiency UHF and VHF detector applications. Readily

available to many other fast switching RF and digital applications.

•

Extremely Low Minority Carrier Lifetime

Very Low Capacitance

Low Reverse Leakage

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Reverse Voltage

MBD110DWT1

MBD330DWT1

MBD770DWT1

7.0

Vdc

Forward Power Dissipation

120

= 25°C

Junction Temperature

–55 to +125

–55 to +150

°C

Storage Temperature Range

stg

DEVICE MARKING

MBD110DWT1 = M4

MBD330DWT1 = T4

MBD770DWT1 = H5

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

M^Mot^oo^tor^ro^ol^la^a,S^Inm^c.a¹⁹ll⁹–⁶Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

MBD770DWT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MBD770DWT1G	ONSEMI	功能相似	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD770DWT1	ONSEMI	功能相似	Dual Schottky Barrier Diodes

与MBD770DWT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBD770DWT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD770DWT2	MOTOROLA	获取价格	SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE
MBD770DWT3	MOTOROLA	获取价格	Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon, CASE 419B-01, 6 PIN
MBD-902-AL	ETC	获取价格	Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor
MBD-902-CL	ETC	获取价格	Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor
MBD-902-XL	ETC	获取价格	Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor
MBDF1200ZEL	ONSEMI	获取价格	3000mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8
MBDF1200ZEL	MOTOROLA	获取价格	3000mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8
MBDQ01	POLYFET	获取价格	Power RF Amplifiers
MBE/SMA0414-150.1%CECC06C1437R	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Thin Film, 0.65W, 437ohm, 500V, 0.1% +/-Tol, 15ppm/Cel, Through Hole Mount

与MBD770DWT1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBD770DWT1

MBD770DWT1 技术参数

MBD770DWT1 数据手册

MBD770DWT1 替代型号

与MBD770DWT1相关器件

与MBD770DWT1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBD770DWT1

MBD770DWT1 技术参数

MBD770DWT1 数据手册

MBD770DWT1 替代型号

与MBD770DWT1相关器件

与MBD770DWT1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？