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MBD54DWT2

更新时间： 2024-10-18 14:43:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
33页 315K
描述
2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 419B-01, 6 PIN

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MBD54DWT2 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.15 W认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBD54DWT2 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications,  
circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces  
conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and  
portable applications where space is limited.  
30 VOLTS  
DUAL HOT–CARRIER  
DETECTOR AND SWITCHING  
DIODES  
•
•
Extremely Fast Switching Speed  
Low Forward Voltage — 0.35 V @ I = 10 mAdc  
F
Anode 1  
N/C 2  
6 Cathode  
5 N/C  
6
5
4
Cathode 3  
4 Anode  
1
2
3
CASE 419B–01, STYLE 6  
SOT–363  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
R
30  
Volts  
Forward Power Dissipation  
P
F
J
@ T = 25°C  
150  
1.2  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Operating Junction  
Temperature Range  
T
°C  
–55 to +150  
–55 to +150  
Storage Temperature Range  
DEVICE MARKING  
MBD54DWT1 = BL  
T
stg  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)  
Symbol  
Min  
30  
—
Typ  
—
Max  
—
Unit  
Volts  
pF  
V
R
(BR)R  
Total Capacitance (V = 1.0 V, f = 1.0 MHz)  
C
7.6  
0.5  
10  
R
T
Reverse Leakage (V = 25 V)  
I
R
—
2.0  
0.24  
0.5  
1.0  
5.0  
µAdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
ns  
R
Forward Voltage (I = 0.1 mAdc)  
V
F
V
F
V
F
—
—
—
—
0.22  
0.41  
0.52  
—
F
Forward Voltage (I = 30 mAdc)  
F
Forward Voltage (I = 100 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time  
t
rr  
(I = I = 10 mAdc, I  
= 1.0 mAdc) Figure 1  
F
R
R(REC)  
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)  
V
V
—
—
0.29  
0.35  
0.32  
0.40  
Vdc  
Vdc  
F
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc)  
F
F
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
5–78  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234567...33

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBD54DWT3 MOTOROLA

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 		SILICON, MIXER DIODE, CASE 419B-01, 6 PIN
MBD701 MOTOROLA

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 		70 VOLTS HIGH.VOLTAGE SILICON HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
MBD701 ONSEMI

获取价格

 		SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
MBD701 LRC

获取价格

 		Silicon Hot-Carrier Diodes
MBD701_06 ONSEMI

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 		Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MBD701_09 ONSEMI

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 		Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MBD701G ONSEMI

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 		Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MBD701LT1 MOTOROLA

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 		70 VOLTS HIGH.VOLTAGE SILICON HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
MBD701RL MOTOROLA

获取价格

 		Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, TO-92, PLASTIC, CASE 182-02, TO-226AC, 2 PIN
MBD701RL1 MOTOROLA

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 		SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, PLASTIC, CASE 182-02, TO-226AC, 2 PIN

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