是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SC-88 | 包装说明: | R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1.1 |
Is Samacsys: | N | 应用: | FAST RECOVERY |
最小击穿电压: | 30 V | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 0.6 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 125 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.15 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 30 V | 最大反向电流: | 2 µA |
最大反向恢复时间: | 0.005 µs | 反向测试电压: | 25 V |
子类别: | Other Diodes | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MBD54DWT1 | ONSEMI |
类似代替 |
Dual Schottky Barrier Diodes | |
BAT54DW-7-F | DIODES |
功能相似 |
DUAL SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBD54DWT1G_09 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Schottky Barrier Diodes | |
MBD54DWT2 | ONSEMI |
获取价格 |
2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 419B-01, 6 PIN | |
MBD54DWT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON, MIXER DIODE, CASE 419B-01, 6 PIN | |
MBD701 | MOTOROLA |
获取价格 |
70 VOLTS HIGH.VOLTAGE SILICON HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES | |
MBD701 | ONSEMI |
获取价格 |
SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES | |
MBD701 | LRC |
获取价格 |
Silicon Hot-Carrier Diodes | |
MBD701_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes | |
MBD701_09 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes | |
MBD701G | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes | |
MBD701LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
70 VOLTS HIGH.VOLTAGE SILICON HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES |