MBD54DWT1

更新时间： 2024-11-22 22:30:03

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摩托罗拉 - MOTOROLA		整流二极管开关光电二极管
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描述
30 VOLTS DUAL HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES

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MBD54DWT1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.49	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MBD54DWT1 数据手册

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by MBD54DWT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications,

circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces

conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and

portable applications where space is limited.

Motorola Preferred Device

•

Extremely Fast Switching Speed

Low Forward Voltage — 0.35 V @ I = 10 mAdc

30 VOLTS

DUAL HOT–CARRIER

DETECTOR AND SWITCHING

DIODES

Anode 1

N/C 2

6 Cathode

5 N/C

Cathode 3

4 Anode

CASE 419B–01, STYLE 6

SOT–363

MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)

Rating

Reverse Voltage

Symbol

Value

Unit

Volts

Forward Power Dissipation

@ T = 25°C

150

1.2

mW/°C

Derate above 25°C

Forward Current (DC)

Junction Temperature

Storage Temperature Range

DEVICE MARKING

MBD54DWT1 = BL

200 Max

125 Max

°C

stg

–55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)

Characteristic

Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)

Symbol

Min

—

Typ

—

Max

—

Unit

Volts

(BR)R

Total Capacitance (V = 1.0 V, f = 1.0 MHz)

7.6

0.5

Reverse Leakage (V = 25 V)

—

2.0

0.24

0.5

1.0

5.0

µAdc

Vdc

Forward Voltage (I = 0.1 mAdc)

—

0.22

0.41

0.52

—

Forward Voltage (I = 30 mAdc)

Forward Voltage (I = 100 mAdc)

Reverse Recovery Time

(I = I = 10 mAdc, I

= 1.0 mAdc) Figure 1

R(REC)

Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)

—

0.29

0.35

—

0.32

0.40

200

300

600

Vdc

Forward Voltage (I = 10 mAdc)

Forward Current (DC)

mAdc

Repetitive Peak Forward Current

—

FRM

Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)

—

FSM

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Thermal Clad is a registered trademark of the Bergquist Company.

REV 3

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

5–1

Motorola, Inc. 1997

12 3 4

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MBD54DWT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MBD54DWT1	ONSEMI	功能相似	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD54DWT1G	ONSEMI	功能相似	Dual Schottky Barrier Diodes

与MBD54DWT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBD54DWT1D	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD54DWT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD54DWT1G_09	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD54DWT2	ONSEMI	获取价格	2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 419B-01, 6 PIN
MBD54DWT3	MOTOROLA	获取价格	SILICON, MIXER DIODE, CASE 419B-01, 6 PIN
MBD701	MOTOROLA	获取价格	70 VOLTS HIGH.VOLTAGE SILICON HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
MBD701	ONSEMI	获取价格	SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
MBD701	LRC	获取价格	Silicon Hot-Carrier Diodes
MBD701_06	ONSEMI	获取价格	Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MBD701_09	ONSEMI	获取价格	Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes

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