是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TFBGA, BGA48,6X8,30 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | ALSO OPERATES AT 2.7V TO 3.1V SUPPLY | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 9 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -30 °C | 组织: | 1MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.0002 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MB82D01171A-90PBT | FUJITSU |
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16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory | |
MB82D01171B-70LLPBN | FUJITSU |
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暂无描述 | |
MB82D01181E | FUJITSU |
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16 Mbit (1 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl | |
MB82D01181E-60L | FUJITSU |
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16 Mbit (1 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl | |
MB82D01181E-60LPBN | FUJITSU |
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16 Mbit (1 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl | |
MB82D01181E-60LWT | FUJITSU |
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16 Mbit (1 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl | |
MB82DBR08163-70 | FUJITSU |
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DRAM | |
MB82DBR08163-70A | FUJITSU |
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DRAM | |
MB82DBR08163-70L | FUJITSU |
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暂无描述 | |
MB82DBR08163A-70LWT | FUJITSU |
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Pseudo Static RAM, 8MX16, 70ns, CMOS, WAFER |