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MB82DBS02163C-70LPBT

更新时间： 2024-09-18 04:16:47

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		存储内存集成电路静态存储器手机
页数	文件大小	规格书
63页	604K
描述
32 M Bit (2 M word】16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory

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MB82DBS02163C-70LPBT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TFBGA, BGA71,8X12,32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B71	JESD-609代码：	e0
长度：	11 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	71
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	2MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA71,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00008 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7 mm
Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-11429-3E

MEMORY Mobile FCRAM^TM

CMOS

32 M Bit (2 M word×16 bit)

Mobile Phone Application Specific Memory

MB82DBS02163C^-70L

■ DESCRIPTION

The FUJITSU MB82DBS02163C is a CMOS Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM*) with asynchronous

Static Random Access Memory (SRAM) interface containing 33,554,432 storages accessible in a 16-bit format.

MB82DBS02163C is utilized using a FUJITSU advanced FCRAM core technology and improved integration in

comparison to regular SRAM. The MB82DBS02163C adopts asynchronous page mode and synchronous burst

mode for fast memory access as user configurable options.

This MB82DBS02163C is suited for mobile applications such as Cellular Handset and PDA.

*: FCRAM is a trademark of Fujitsu Limited, Japan

■ FEATURES

• Asynchronous SRAM Interface

• Fast Access Time : t^CE= 70 ns Max

• 8 words Page Access Capability : t^PAA= 20 ns Max

• Burst Read/Write Access Capability : t^AC= 12 ns Max

• Low Voltage Operating Condition : V^DD= +1.65 V to +1.95 V

• Wide Operating Temperature : T^A= -30 °C to +85 °C

• Byte Control by LB and UB

• Low-Power Consumption : I^DDA1= 30 mA Max

I^DDS1= 80 µA Max

• Various Power Down mode : Sleep

4 M-bit Partial

8 M-bit Partial

• Shipping Form : Wafer/Chip, 71-ball plastic FBGA package

12 3 4 5 6 7...63

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与MB82DBS02163C-70LPBT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB82DBS02163C-70LWFKT	FUJITSU	获取价格	Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, WAFER
MB82DBS02163C-70LWT	FUJITSU	获取价格	32 M Bit (2 M word】16 bit) Mobile Phone Appli
MB82DBS02163C-80	FUJITSU	获取价格	DRAM
MB82DBS02163C-80L	FUJITSU	获取价格	DRAM
MB82DBS02163D-70L	FUJITSU	获取价格	32 M Bit (2 M word】16 bit) Mobile Phone Appli
MB82DBS02163D-70LBGT	FUJITSU	获取价格	32 M Bit (2 M word】16 bit) Mobile Phone Appli
MB82DBS02163E-70L	FUJITSU	获取价格	32 Mbit Mobile FCRAM 1.8 V, Burst Mode & Page Mode
MB82DBS04154E-70L	FUJITSU	获取价格	64 Mbit Mobile FCRAM 1.8 V, Burst Mode, Multiplexed Address and Data Bus
MB82DBS04163B-70	FUJITSU	获取价格	DRAM
MB82DBS04163B-80	FUJITSU	获取价格	DRAM

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