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MB82DBS08164C-70L

更新时间： 2024-09-18 04:16:47

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富士通 - FUJITSU		手机
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128 M Bit (8 M word】16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory

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MB82DBS08164C-70L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIE,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	X-XUUC-N	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	UNCASED CHIP	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

MB82DBS08164C-70L 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-11435-1E

MEMORY Mobile FCRAM^TM

CMOS

128 M Bit (8 M word×16 bit)

Mobile Phone Application Specific Memory

MB82DBS08164C^-70L

■ DESCRIPTION

The FUJITSU MB82DBS08164C is a CMOS Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM*) with asynchronous

Static Random Access Memory (SRAM) interface containing 134,217,728 storages accessible in a 16-bit format.

MB82DBS08164C is utilized using a FUJITSU advanced FCRAM core technology and improved integration in

comparison to regular SRAM.

The MB82DBS08164C adopts asynchronous mode and synchronous burst mode for fast memory access as user

configurable options.

This MB82DBS08164C is suited for mobile applications such as Cellular Handset and PDA.

* : FCRAM is a trademark of Fujitsu Limited, Japan

■ FEATURES

• Asynchronous SRAM Interface

• COSMORAM Revision 3 Compliance

(COSMORAM : Common Specifications of Mobile RAM)

• Fast Access Time : t^CE= 70 ns Max

• Burst Read/Write Access Capability :

t^CK= 9.5 ns Min /104 MHz Max

t^AC= 6 ns Max

• Low Voltage Operating Condition : V^DD= 1.7 V to 1.95 V

• Wide Operating Temperature : T^A= − 30 °C to + 85 °C

Junction Temperature : T^J= − 30 °C to + 90 °C

• Byte Control by LB and UB

• Low-Power Consumption : I^DDA1= 40 mA Max

I^DDS1= 300 µA Max

• Various Power Down mode : Sleep

16 M-bit Partial

32 M-bit Partial

64 M-bit Partial

• Shipping Form : Wafer/Chip

12 3 4 5 6 7...58

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MB82DBS08164D-70L	FUJITSU	获取价格	128 M Bit (8 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory
MB82DBS08314A	FUJITSU	获取价格	DRAM
MB82DBS08314A-80L	FUJITSU	获取价格	256 Mbit Mobile FCRAM 1.8 V, SDR Burst Mode
MB82DBS16164A-80L	FUJITSU	获取价格	256 Mbit Mobile FCRAM 1.8 V, SDR Burst Mode
MB82DDS08314A	FUJITSU	获取价格	DRAM
MB82DDS08314A-75L	FUJITSU	获取价格	256 Mbit Mobile FCRAM 1.8 V, DDR Burst Mode
MB82DP02183C-65L	FUJITSU	获取价格	32M Bit (2 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl
MB82DP02183C-65LPBT	FUJITSU	获取价格	32M Bit (2 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl
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