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MB82DBS04163C-70LWFKT

更新时间： 2024-09-18 03:16:59

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富士通 - FUJITSU		手机
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62页	560K
描述
MEMORY Mobile FCRAMTM CMOS 64 M Bit (4 M word】16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory

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MB82DBS04163C-70LWFKT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIE,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	X-XUUC-N	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	UNCASED CHIP	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MB82DBS04163C-70LWFKT 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-11432-1E

MEMORY Mobile FCRAM^TM

CMOS

64 M Bit (4 M word×16 bit)

Mobile Phone Application Specific Memory

MB82DBS04163C^-70L

■ DESCRIPTION

The FUJITSU MB82DBS04163C is a CMOS Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM*) with asynchronous

Static Random Access Memory (SRAM) interface containing 67,108,864 storages accessible in a 16-bit format.

MB82DBS04163C is utilized using a FUJITSU advanced FCRAM core technology and improved integration in

comparison to regular SRAM.

The MB82DBS04163C adopts asynchronous page mode and synchronous burst mode for fast memory access

as user configurable options.

This MB82DBS04163C is suited for mobile applications such as Cellular Handset and PDA.

* : FCRAM is a trademark of FUJITSU LIMITED, Japan

■ PRODUCT LINEUP

Parameter

Access Time (Max) (t^CE, t^AA)

MB82DBS04163C-70L

70 ns

10 ns

35 mA

90 µA

10 µA

Access Time from CLK (Max) (t^AC)

Active Current (Max) (I^DDA1)

RL = 6, 5

Standby Current (Max) (I^DDS1)

Power Down Current (Max) (I^DDPS)

T^A≤ + 40 °C

■ FEATURES

• Asynchronous SRAM Interface

• Fast Access Time : t^CE= 70 ns Max

• 8 words Page Access Capability : t^PAA= 20 ns Max

• Burst Read/Write Access Capability : t^AC= 10 ns Max

• Low Voltage Operating Condition : V^DD= 1.7 V to 1.95 V

• Wide Operating Temperature : T^A= -30 °C to +85 °C

• Byte Control by LB and UB

• Low-Power Consumption : I^DDA1= 35 mA Max

I^DDS1= 90 µA Max (T^A≤ + 40°C )

• Various Power Down mode : Sleep

8 M-bit Partial

16 M-bit Partial

• Shipping Form : Wafer/Chip

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与MB82DBS04163C-70LWFKT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB82DBS04164E-70L	FUJITSU	获取价格	64 Mbit Mobile FCRAM 1.8 V, Burst Mode & Page Mode
MB82DBS08164C-70L	FUJITSU	获取价格	128 M Bit (8 M word】16 bit) Mobile Phone Appl
MB82DBS08164C-70LWT	FUJITSU	获取价格	128 M Bit (8 M word】16 bit) Mobile Phone Appl
MB82DBS08164D-70L	FUJITSU	获取价格	128 M Bit (8 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory
MB82DBS08314A	FUJITSU	获取价格	DRAM
MB82DBS08314A-80L	FUJITSU	获取价格	256 Mbit Mobile FCRAM 1.8 V, SDR Burst Mode
MB82DBS16164A-80L	FUJITSU	获取价格	256 Mbit Mobile FCRAM 1.8 V, SDR Burst Mode
MB82DDS08314A	FUJITSU	获取价格	DRAM
MB82DDS08314A-75L	FUJITSU	获取价格	256 Mbit Mobile FCRAM 1.8 V, DDR Burst Mode
MB82DP02183C-65L	FUJITSU	获取价格	32M Bit (2 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl

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