Datasheet > 存储 > SRAM> MB82D01171A-90LLPBN

MB82D01171A-90LLPBN

更新时间： 2024-11-07 04:08:35

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		存储内存集成电路静态存储器手机
页数	文件大小	规格书
27页	249K
描述
16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MB82D01171A-90LLPBN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	ALSO OPERATES AT 2.7V TO 3.1V SUPPLY
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	9 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00007 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

MB82D01171A-90LLPBN 数据手册

浏览型号MB82D01171A-90LLPBN的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MB82D01171A-90LLPBN的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MB82D01171A-90LLPBN的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MB82D01171A-90LLPBN的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MB82D01171A-90LLPBN的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号MB82D01171A-90LLPBN的Datasheet PDF文件第7页

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-11404-2E

MEMORY Mobile FCRAM^TM

CMOS

16 Mbit (1 M word × 16 bit)

Mobile Phone Application Specific Memory

MB82D01171A^{-80/80L/80LL/85/85L/85LL/90/90L/90LL}

CMOS 1,048,576-WORD × 16 BIT

Fast Cycle Random Access Memory

with Low Power SRAM Interface

■ DESCRIPTION

The Fujitsu MB82D01171A is a CMOS Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM) with asynchronous Static

Random Access Memory (SRAM) interface containing 16,777,216 storages accessible in a 16-bit format. This

MB82D01171A is suited for low power applications such as Cellular Handset and PDA.

Note: FCRAM is a trademark of Fujitsu Limited, Japan.

■ PRODUCT LINEUP

MB82D01171A

Parameter

80L

80LL

85L

85LL

90L

90LL

Access Time (t^AAMax, tCE Max)

Active Current (IDDA1 Max)

80 ns

85 ns

20 mA

90 ns

Standby Current (IDDS1 Max)

Power Down Current (IDDP Max)

200 µA 100 µA 70 µA 200 µA 100 µA 70 µA 200 µA 100 µA 70 µA

10 µA

■ PACKAGES

48-ball plastic FBGA

(BGA-48P-M16)

(BGA-48P-M18)

12 3 4 5 6 7...27

中文翻译

下载PDF

与MB82D01171A-90LLPBN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB82D01171A-90LLPBT	FUJITSU	获取价格	16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory
MB82D01171A-90LPBN	FUJITSU	获取价格	16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory
MB82D01171A-90LPBT	FUJITSU	获取价格	16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory
MB82D01171A-90PBN	FUJITSU	获取价格	16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory
MB82D01171A-90PBT	FUJITSU	获取价格	16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory
MB82D01171B-70LLPBN	FUJITSU	获取价格	暂无描述
MB82D01181E	FUJITSU	获取价格	16 Mbit (1 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl
MB82D01181E-60L	FUJITSU	获取价格	16 Mbit (1 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl
MB82D01181E-60LPBN	FUJITSU	获取价格	16 Mbit (1 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl
MB82D01181E-60LWT	FUJITSU	获取价格	16 Mbit (1 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl

与MB82D01171A-90LLPBN相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

19
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

16
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

39
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MB82D01171A-90LLPBN

MB82D01171A-90LLPBN 技术参数

MB82D01171A-90LLPBN 数据手册

与MB82D01171A-90LLPBN相关器件

与MB82D01171A-90LLPBN相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MB82D01171A-90LLPBN

MB82D01171A-90LLPBN 技术参数

MB82D01171A-90LLPBN 数据手册

与MB82D01171A-90LLPBN相关器件

与MB82D01171A-90LLPBN相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？