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M29W116BT120N6

更新时间: 2024-09-20 19:42:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 1229K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,2MX8,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC

M29W116BT120N6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:120 ns启动块:TOP
命令用户界面:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8部门数/规模:1,2,1,31
端子数量:40字数:2097152 words
字数代码:2000000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP40,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:YES类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

M29W116BT120N6 数据手册

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