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M29W128FH70ZA6E

更新时间： 2024-09-20 20:28:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
78页 463K
描述
8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64

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M29W128FH70ZA6E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64
针数：64Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.31Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES
备用内存宽度：8命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B64JESD-609代码：e1
长度：13 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：256
端子数量：64字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装等效代码：BGA64,8X8,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小：8/16 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M29W128FH70ZA6E 数据手册

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M29W128FH  
M29W128FL  
128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block)  
3V Supply Flash Memory  
Feature summary  
■ Supply voltage  
– V = 2.7 to 3.6V for Program, Erase and  
CC  
Read  
– V =12V for Fast Program (optional)  
PP  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page Width: 8 Words/16 Bytes  
– Page Access: 25, 30ns  
TSOP56 (N)  
14 x 20mm  
– Random Access: 60, 70ns  
BGA  
■ Programming time  
– 10µs per Byte/Word (typical)  
– 4 Words / 8 Bytes Program  
– 32-Word (64-Bytes) Write Buffer  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13mm  
■ 64 KByte (32 KWord) Uniform Blocks  
■ Program/ Erase Suspend and Resume Modes  
■ Electronic Signature  
– Read from any Block during Program  
Suspend  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code:  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
M29W128FH: 227Eh + 2212h + 228Ah  
M29W128FL: 227Eh + 2212h + 228Bh  
■ Unlock Bypass Program  
®
■ ECOPACK packages  
– Faster Production/Batch Programming  
■ Common Flash Interface  
– 64 bit Security Code  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
■ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
■ Hardware Block Protection  
– V /WP pin for fast program and write  
PP  
protect of the highest (M29W128FH) or  
lowest block (M29W128FL)  
■ Extended Memory Block:  
Extra block used as security block or to store  
additional information  
November 2006  
Rev 6  
1/78  
www.st.com  
1
1234567...78

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M29W128FH70ZA6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29W128GL70ZA6F STMICROELECTRONICS

功能相似

 8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64
M29W128GL70ZA6E NUMONYX

功能相似

 128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory

与M29W128FH70ZA6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W128FH70ZA6F NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL NUMONYX

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M29W128FL60N6E NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL70N6E NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL70N6E STMICROELECTRONICS

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 		8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-56
M29W128FL70N6F NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL70ZA6E NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory

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