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M29W128GH70ZA6E PDF预览

M29W128GH70ZA6E

更新时间： 2024-09-21 14:59:03
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
76页 841K
描述
128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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M29W128GH70ZA6E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40针数：64
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.31
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B64JESD-609代码：e1
长度：13 mm内存密度：131072 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：128
端子数量：64字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装等效代码：BGA64,8X8,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小：8/16 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：128K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M29W128GH70ZA6E 数据手册

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128Mb 3V Embedded Parallel NOR Flash  
Features  
Parallel NOR Flash Embedded Memory  
M29W128GH, M29W128GL  
• VPP/WP# pin protection  
– Protects first or last block regardless of block  
Features  
• Supply voltage  
protection settings  
– VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read)  
– VCCQ = 1.65–3.6V (I/O buffers)  
– VPPH = 12V for fast program (optional)  
• Asynchronous random/page read  
– Page size: 8 words or 16 bytes  
– Page access: 25, 30ns  
• Software protection  
– Volatile protection  
– Nonvolatile protection  
– Password protection  
• Extended memory block  
– 128-word (256-byte) memory block for perma-  
nent, secure identification  
• Common flash interface  
– 64-bit security code  
• Low power consumption: Standby and automatic  
mode  
• Minimum 100,00 PROGRAM/ERASE cycles per  
block  
– Random access: 60ns1, 70, 80ns  
• Fast program commands: 32-word (64-byte) write  
buffer  
• Enhanced buffered program commands: 256-word  
• Program time  
– 16µs per byte/word TYP  
– Chip program time: 5s with VPPH and 8s without  
VPPH  
• Memory organization  
– Uniform blocks: 128 main blocks, 128-Kbytes or  
64-Kwords each  
• Program/erase controller  
• RoHS compliant packages  
– 56-pin TSOP (N) 14mm x 20mm  
– 64-ball TBGA (ZA) 10mm x 13mm  
– 64-ball FBGA (ZS) 11mm x 13mm  
• Electronic signature  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Program/erase suspend and resume capability  
– Read from any block during a PROGRAM SUS-  
PEND operation  
– Read or program another block during an ERASE  
SUSPEND operation  
• Unlock bypass, block erase, chip erase, write to buf-  
fer, enhanced buffer program commands  
– Fast buffered/batch programming  
– Fast block/chip erase  
– Manufacturer code: 0020h  
– M29W128GH uniform, last block protected by  
VPP/WP#: 227Eh + 2221h + 2201h  
– M29W128GL uniform, first block protected by  
VPP/WP#: 227Eh + 2221h + 2200h  
• Automotive device grade temperature  
– –40°C to +125°C (automotive grade certified)  
1. The 60ns device is available upon customer  
request.  
Note:  
PDF: 09005aef84daa141  
m29w_128mb.pdf - Rev. A 7/13 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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M29W128GH70ZA6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29W128GL70ZS6E MICRON

完全替代

 128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70ZA6E MICRON

完全替代

 128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70ZS6E MICRON

完全替代

 128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

与M29W128GH70ZA6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W128GH70ZA6F NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GH70ZA6F MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70ZS1F NUMONYX

获取价格

 		Flash, 8MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LBGA-64
M29W128GH70ZS3E MICRON

获取价格

 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70ZS6E NUMONYX

获取价格

 		Flash, 8MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LBGA-64
M29W128GH70ZS6E MICRON

获取价格

 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70ZS6F MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH7AN6E MICRON

获取价格

 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH7AN6F MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH7AZA6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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