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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W128FL60N6E
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M29W128FL60N6E

更新时间： 2024-11-08 03:11:39
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管ISM频段
页数 文件大小 规格书
78页 1564K
描述
128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory

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M29W128FL60N6E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20针数：56
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.47
Is Samacsys：N最长访问时间：60 ns
备用内存宽度：8命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G56长度：18.4 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：256端子数量：56
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：8/16 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：14 mm
Base Number Matches：1

M29W128FL60N6E 数据手册

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M29W128FH  
M29W128FL  
128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block)  
3V Supply Flash Memory  
Feature summary  
■ Supply voltage  
– VCC = 2.7 to 3.6V for Program, Erase and  
Read  
– VPP =12V for Fast Program (optional)  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page Width: 8 Words/16 Bytes  
– Page Access: 25, 30ns  
TSOP56 (N)  
14 x 20mm  
– Random Access: 60, 70ns  
BGA  
■ Programming time  
– 10µs per Byte/Word (typical)  
– 4 Words / 8 Bytes Program  
– 32-Word (64-Bytes) Write Buffer  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13mm  
■ 64 KByte (32 KWord) Uniform Blocks  
■ Program/ Erase Suspend and Resume Modes  
■ Electronic Signature  
– Read from any Block during Program  
Suspend  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code:  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
M29W128FH: 227Eh + 2212h + 228Ah  
M29W128FL: 227Eh + 2212h + 228Bh  
■ Unlock Bypass Program  
■ ECOPACK® packages  
– Faster Production/Batch Programming  
■ Common Flash Interface  
– 64 bit Security Code  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
■ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
■ Hardware Block Protection  
– VPP/WP pin for fast program and write  
protect of the highest (M29W128FH) or  
lowest block (M29W128FL)  
■ Extended Memory Block:  
Extra block used as security block or to store  
additional information  
December 2007  
Rev 7  
1/78  
www.numonyx.com  
1
1234567...78

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W128FL60N6F NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL60ZA6E NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL60ZA6F NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL70N6E NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL70N6E STMICROELECTRONICS

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 		8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-56
M29W128FL70N6F NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL70ZA6E NUMONYX

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M29W128FL70ZA6E STMICROELECTRONICS

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 		8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64
M29W128FL70ZA6F NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128GH NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory

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