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M29W128FL70ZA6E

更新时间： 2024-09-20 20:28:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
78页 463K
描述
8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64

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M29W128FL70ZA6E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64
针数：64Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.29Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES
备用内存宽度：8命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B64JESD-609代码：e1
长度：13 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：256
端子数量：64字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装等效代码：BGA64,8X8,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小：8/16 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M29W128FL70ZA6E 数据手册

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M29W128FH  
M29W128FL  
128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block)  
3V Supply Flash Memory  
Feature summary  
■ Supply voltage  
– V = 2.7 to 3.6V for Program, Erase and  
CC  
Read  
– V =12V for Fast Program (optional)  
PP  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page Width: 8 Words/16 Bytes  
– Page Access: 25, 30ns  
TSOP56 (N)  
14 x 20mm  
– Random Access: 60, 70ns  
BGA  
■ Programming time  
– 10µs per Byte/Word (typical)  
– 4 Words / 8 Bytes Program  
– 32-Word (64-Bytes) Write Buffer  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13mm  
■ 64 KByte (32 KWord) Uniform Blocks  
■ Program/ Erase Suspend and Resume Modes  
■ Electronic Signature  
– Read from any Block during Program  
Suspend  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code:  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
M29W128FH: 227Eh + 2212h + 228Ah  
M29W128FL: 227Eh + 2212h + 228Bh  
■ Unlock Bypass Program  
®
■ ECOPACK packages  
– Faster Production/Batch Programming  
■ Common Flash Interface  
– 64 bit Security Code  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
■ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
■ Hardware Block Protection  
– V /WP pin for fast program and write  
PP  
protect of the highest (M29W128FH) or  
lowest block (M29W128FL)  
■ Extended Memory Block:  
Extra block used as security block or to store  
additional information  
November 2006  
Rev 6  
1/78  
www.st.com  
1
1234567...78

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M29W128FL70ZA6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29W128GL70ZA6E MICRON

功能相似

 128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70ZA6E MICRON

功能相似

 128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

与M29W128FL70ZA6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W128FL70ZA6F NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128GH NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GH MICRON

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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W128GH60N6E NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GH60N6F NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GH60ZA6E NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GH60ZA6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH60ZA6F NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GH6AZS6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70N3E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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