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M29W128GH70ZA6F

更新时间： 2024-09-21 14:59:03
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
76页 841K
描述
128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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M29W128GH70ZA6F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40针数：64
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.34
最长访问时间：70 ns备用内存宽度：8
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PBGA-B64
JESD-609代码：e1长度：13 mm
内存密度：131072 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：128端子数量：64
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE页面大小：8/16 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

M29W128GH70ZA6F 数据手册

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128Mb 3V Embedded Parallel NOR Flash  
Features  
Parallel NOR Flash Embedded Memory  
M29W128GH, M29W128GL  
• VPP/WP# pin protection  
– Protects first or last block regardless of block  
Features  
• Supply voltage  
protection settings  
– VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read)  
– VCCQ = 1.65–3.6V (I/O buffers)  
– VPPH = 12V for fast program (optional)  
• Asynchronous random/page read  
– Page size: 8 words or 16 bytes  
– Page access: 25, 30ns  
• Software protection  
– Volatile protection  
– Nonvolatile protection  
– Password protection  
• Extended memory block  
– 128-word (256-byte) memory block for perma-  
nent, secure identification  
• Common flash interface  
– 64-bit security code  
• Low power consumption: Standby and automatic  
mode  
• Minimum 100,00 PROGRAM/ERASE cycles per  
block  
– Random access: 60ns1, 70, 80ns  
• Fast program commands: 32-word (64-byte) write  
buffer  
• Enhanced buffered program commands: 256-word  
• Program time  
– 16µs per byte/word TYP  
– Chip program time: 5s with VPPH and 8s without  
VPPH  
• Memory organization  
– Uniform blocks: 128 main blocks, 128-Kbytes or  
64-Kwords each  
• Program/erase controller  
• RoHS compliant packages  
– 56-pin TSOP (N) 14mm x 20mm  
– 64-ball TBGA (ZA) 10mm x 13mm  
– 64-ball FBGA (ZS) 11mm x 13mm  
• Electronic signature  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Program/erase suspend and resume capability  
– Read from any block during a PROGRAM SUS-  
PEND operation  
– Read or program another block during an ERASE  
SUSPEND operation  
• Unlock bypass, block erase, chip erase, write to buf-  
fer, enhanced buffer program commands  
– Fast buffered/batch programming  
– Fast block/chip erase  
– Manufacturer code: 0020h  
– M29W128GH uniform, last block protected by  
VPP/WP#: 227Eh + 2221h + 2201h  
– M29W128GL uniform, first block protected by  
VPP/WP#: 227Eh + 2221h + 2200h  
• Automotive device grade temperature  
– –40°C to +125°C (automotive grade certified)  
1. The 60ns device is available upon customer  
request.  
Note:  
PDF: 09005aef84daa141  
m29w_128mb.pdf - Rev. A 7/13 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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与M29W128GH70ZA6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W128GH70ZS1F NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LBGA-64
M29W128GH70ZS3E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70ZS6E NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LBGA-64
M29W128GH70ZS6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70ZS6F MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH7AN6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH7AN6F MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH7AZA6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH7AZA6F NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64
M29W128GH7AZS6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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